[发明专利]等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体有效
申请号: | 200810189270.6 | 申请日: | 2008-12-30 |
公开(公告)号: | CN101547549A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 中尾贤;守谷修司;上坂裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人名古屋大学 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;C23C14/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,
该等离子体处理装置包括:
电磁波产生源,其用于产生电磁波;
电介质制的真空容器,当该真空容器的内部被施加电场并 被施加电压时,在真空容器的内表面上产生表面波,上述表面 波在该真空容器的内部空间内对等离子体点火;
电磁波引导部,其用于将上述电磁波引导到上述真空容器 的非覆盖部;
导电管,其配置在上述真空容器的长度方向的局部处的外 周部上,在该导电管与上述电磁波引导部之间因上述电磁波产 生上述电场;
气体供给部件,其用于将处理气体供给到被处理体的内部 空间中,该被处理体与上述真空容器相连接;
排气部件,其用于对上述被处理体的内部空间进行排气; 以及
电压施加部件,其与上述被处理体相连接,对上述被处理 体施加规定电压;
上述电磁波引导部具有孔部;
上述真空容器在上述孔部近旁具有未被上述导电管覆盖的 上述非覆盖部;
该等离子体处理装置利用被引导到施加有上述规定电压的 上述被处理体的内部空间中的等离子体来处理上述被处理体的 内壁面。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,
上述电压施加部件与上述被处理体的外部相连接。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
利用由上述电压施加部件施加的上述规定电压在上述被处 理体的内部空间形成衬层,使用被上述衬层引导到上述被处理 体的内部空间中的等离子体来处理上述被处理体的内壁面。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
上述真空容器是电介质制的真空管;
上述电磁波引导部与上述导电管的外周分离地配置,将上 述电磁波通过上述电磁波引导部与上述导电管之间的空间引导 到上述非覆盖部。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还包括将上述电磁波自上述电磁波产 生源引导到上述电磁波引导部中的波导管;
上述真空管自上述波导管的内部朝向外部而沿与上述电磁 波的来向正交的方向延伸,在上述波导管内被上述导电管覆盖;
上述电磁波引导部具有自上述波导管的侧壁部向上述真空 管的延伸方向突出的突出部;
上述真空管具有在上述突出部内未被上述导电管覆盖的上 述非覆盖部,在上述非覆盖部的内部空间中施加有产生于上述 导电管与上述电磁波引导部之间的电场。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还包括将电磁波自上述电磁波产生源 引导到上述电磁波引导部中的波导管;
上述真空管沿与上述电磁波的来向正交的方向贯穿上述波 导管的内部,在上述波导管内被上述导电管覆盖;
上述电磁波引导部具有自上述波导管的侧壁部向上述真空 管的贯穿方向突出的突出部;
上述真空管具有在上述突出部内未被上述导电管覆盖的上 述非覆盖部,在上述非覆盖部的内部空间中施加有产生于上述 导电管与上述电磁波引导部之间的电场。
7.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
上述电压施加部件对上述被处理体施加脉冲电压作为上述 规定电压。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还包括与上述电压施加部件和上述电 磁波产生源相连接的同步电路;
自上述电压施加部件施加给上述被处理体的上述脉冲电压 的频率与在上述电磁波产生源产生的电磁波的频率相同,且利 用上述同步电路获取同步。
9.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
上述被处理体是不锈钢制。
10.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,
上述被处理体配置在大气气氛中。
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