[发明专利]等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体有效

专利信息
申请号: 200810189270.6 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN101547549A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 中尾贤;守谷修司;上坂裕之 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;国立大学法人名古屋大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C14/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,

该等离子体处理装置包括:

电磁波产生源,其用于产生电磁波;

电介质制的真空容器,当该真空容器的内部被施加电场并 被施加电压时,在真空容器的内表面上产生表面波,上述表面 波在该真空容器的内部空间内对等离子体点火;

电磁波引导部,其用于将上述电磁波引导到上述真空容器 的非覆盖部;

导电管,其配置在上述真空容器的长度方向的局部处的外 周部上,在该导电管与上述电磁波引导部之间因上述电磁波产 生上述电场;

气体供给部件,其用于将处理气体供给到被处理体的内部 空间中,该被处理体与上述真空容器相连接;

排气部件,其用于对上述被处理体的内部空间进行排气; 以及

电压施加部件,其与上述被处理体相连接,对上述被处理 体施加规定电压;

上述电磁波引导部具有孔部;

上述真空容器在上述孔部近旁具有未被上述导电管覆盖的 上述非覆盖部;

该等离子体处理装置利用被引导到施加有上述规定电压的 上述被处理体的内部空间中的等离子体来处理上述被处理体的 内壁面。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,

上述电压施加部件与上述被处理体的外部相连接。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,

利用由上述电压施加部件施加的上述规定电压在上述被处 理体的内部空间形成衬层,使用被上述衬层引导到上述被处理 体的内部空间中的等离子体来处理上述被处理体的内壁面。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,

上述真空容器是电介质制的真空管;

上述电磁波引导部与上述导电管的外周分离地配置,将上 述电磁波通过上述电磁波引导部与上述导电管之间的空间引导 到上述非覆盖部。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其中,

该等离子体处理装置还包括将上述电磁波自上述电磁波产 生源引导到上述电磁波引导部中的波导管;

上述真空管自上述波导管的内部朝向外部而沿与上述电磁 波的来向正交的方向延伸,在上述波导管内被上述导电管覆盖;

上述电磁波引导部具有自上述波导管的侧壁部向上述真空 管的延伸方向突出的突出部;

上述真空管具有在上述突出部内未被上述导电管覆盖的上 述非覆盖部,在上述非覆盖部的内部空间中施加有产生于上述 导电管与上述电磁波引导部之间的电场。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其中,

该等离子体处理装置还包括将电磁波自上述电磁波产生源 引导到上述电磁波引导部中的波导管;

上述真空管沿与上述电磁波的来向正交的方向贯穿上述波 导管的内部,在上述波导管内被上述导电管覆盖;

上述电磁波引导部具有自上述波导管的侧壁部向上述真空 管的贯穿方向突出的突出部;

上述真空管具有在上述突出部内未被上述导电管覆盖的上 述非覆盖部,在上述非覆盖部的内部空间中施加有产生于上述 导电管与上述电磁波引导部之间的电场。

7.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,

上述电压施加部件对上述被处理体施加脉冲电压作为上述 规定电压。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其中,

该等离子体处理装置还包括与上述电压施加部件和上述电 磁波产生源相连接的同步电路;

自上述电压施加部件施加给上述被处理体的上述脉冲电压 的频率与在上述电磁波产生源产生的电磁波的频率相同,且利 用上述同步电路获取同步。

9.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,

上述被处理体是不锈钢制。

10.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其中,

上述被处理体配置在大气气氛中。

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