[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

在半导体衬底中形成第一导电类型掩埋层，并在所述第一导电类型掩 埋层上形成第一导电类型漂移区；

通过选择性去除所述第一导电类型漂移区形成第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极，以填充所述第一沟槽；

在包括所述栅电极的半导体衬底上形成第一氧化物层；

将第二导电类型杂质离子注入到包括所述第一氧化物层的半导体衬 底中；

在所述第一氧化物层上形成氮化物层；

通过扩散所述第二导电类型杂质离子形成第二导电类型阱，且同时在 所述氮化物层上形成第二氧化物层；

从所述第一氧化物层去除所述氮化物层和所述第二氧化物层；

通过部分地去除所述第一氧化物层形成薄氧化物层；

在每个栅电极的侧部形成第一导电类型源极区；

在所述薄氧化物层上形成介电层；

通过选择性蚀刻所述介电层和所述薄氧化物层形成第二沟槽；

通过选择性移除由所述第二沟槽暴露的所述第二导电类型阱的一部 分而形成第三沟槽；

在所述第三沟槽中形成源极接触件；以及

形成与所述第一导电类型掩埋层电连接的漏电极层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述氮化物层的厚度为50±

3.如权利要求1所述的制造方法，其中使用去离子水和HF的混合物 去除所述第一氧化物层和/或第二氧化物层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中使用磷酸溶液去除所述氮化物 层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中使用BHF溶液同时去除所述 第二氧化物层和所述氮化物层，其中该BHF溶液为缓冲HF。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中所述薄氧化物层的厚度为 到

7.如权利要求1所述的制造方法，其中所述栅电极包括多晶硅。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中在每个栅电极的相对侧上形成 所述第一导电类型源极区。

9.如权利要求1所述的方法，其中去除所述第一氧化物层的步骤包括 通过湿蚀刻去除所述第一氧化物层的部分厚度。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中使用去离子水和HF的混合 物部分地去除所述第一氧化物层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其中所述源极接触件是通过使用 CVD工艺沉积第一金属层、无图形蚀刻所述第一金属层并在无图形蚀刻的 所述第一金属层上沉积第二金属层而形成的。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中所述第一金属层包括钨，且 所述第二金属层包括铝。