[发明专利]半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；

在上述开口部和上述绝缘膜上形成Pd电极的工序；以及

对上述绝缘膜上的上述Pd电极附加物理的力，在残留上述开口部的上述Pd电极的状态下，将上述绝缘膜上的上述Pd电极剥离并除去的剥离工序。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述物理的力可以通过液体喷射器的喷射、超声波振动的附加、气体的喷射、粒子的喷射、离心力的附加、利用吸气装置的吸引、胶带的贴付和剥落等任意一种或多个手段来施加。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：在形成上述Pd电极的工序后并且上述剥离工序之前进行热处理的工序。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，通过蒸镀形成上述Pd电极。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

具备：在形成上述绝缘膜的工序之前在上述半导体上形成脊形部的工序，

在上述脊形部的上表面上形成上述开口部，

在形成上述Pd电极的工序中，以10～400nm的膜厚对在上述开口部上的上述Pd电极进行形成。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成上述Pd电极的工序中，以覆盖上述脊形部的方式形成上述Pd电极，

从上述脊形部的侧面起，沿着与上述脊形部邻接而高度低于上述脊形部的沟道部的底面，使上述Pd电极形成为0.5μm以上。

7.如权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在形成上述Pd电极的工序中，以覆盖上述脊形部的方式形成上述Pd电极，

从上述脊形部的侧面起，沿着与上述脊形部邻接而高度低于上述脊形部的沟道部的底面，使上述Pd电极形成为2.75μm以上。

8.如权利要求1至7任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述Pd电极是以Pd作为第一层的多个层构成的层叠结构。

9.如权利要求1至7任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：

在上述剥离工序后在上述Pd电极上形成阻挡金属层的阻挡金属形成工序；以及

在上述阻挡金属形成工序后，在上述阻挡金属层上形成包含Au的焊盘电极的工序。

10.如权利要求9所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述阻挡金属层包含Pt、Mo、Ta、Ni的任意一种。

11.如权利要求9所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：在上述剥离工序后并且上述阻挡金属形成工序前，在上述Pd电极上形成Ti层、Cr层中任意一种层的工序。

12.如权利要求9所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：在上述阻挡金属形成工序后并且形成上述焊盘电极的工序之前，在上述Pd电极上形成Ti层、Cr层中任意一种层的工序。