[发明专利]光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置有效
申请号: | 200810190755.7 | 申请日: | 2008-12-24 |
公开(公告)号: | CN101477995A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 近江俊彦;中田太郎 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/552;G01J1/42;G09G5/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 检测 半导体器件 检测器 图像 显示装置 | ||
1.一种光电检测半导体器件,包括:
第一光接收元件,其具有第一导电类型的半导体衬底以及由第二 导电类型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面给定深度来设 置的第一导通层;
第二光接收元件,其具有所述半导体衬底以及由所述第二导电类 型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面所述给定深度来设置 的第二导通层;第一滤光层,其具有依赖于光的波长的透光率,其设 置在所述第一导通层表面上;以及
第二滤光层,其透光率的依赖关系与所述第一滤光层的依赖关系
不同,其设置在所述第二导通层表面上,
其中,通过使用所述第一光接收元件中积累的电荷与所述第二光 接收元件中积累的电荷之间的差来检测光强度。
2.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一 滤光层和所述第二滤光层具有导电性。
3.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一
滤光层和所述第二滤光层由所述第一导电类型的半导体形成。
4.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一
滤光层和所述第二滤光层由多晶硅形成。
5.一种光电检测器,包括:
积累部件,其与如权利要求1所述的光电检测半导体器件连接, 且其用于将分别在所述光电检测半导体器件的所述第一光接收元件 和所述第二光接收元件中所产生的电荷积累在其每个中;
取差部件,其用于获取所积累的电荷之间的差;以及
差输出部件,其用于发送所获取的差。
6.一种图像显示装置,包括:
如权利要求5所述的光电检测器;
用于显示图像的图像显示部件;
明亮度确定部件,其用于借助来自所述光电检测器的输出来确定 外部的明亮度;以及
亮度调整部件,其用于根据所确定的明亮度来调整所述图像显示 部件的亮度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的