[发明专利]光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置有效

专利信息
申请号: 200810190755.7 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN101477995A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 近江俊彦;中田太郎 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L23/552;G01J1/42;G09G5/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;王丹昕
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 检测 半导体器件 检测器 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种光电检测半导体器件,包括:

第一光接收元件,其具有第一导电类型的半导体衬底以及由第二 导电类型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面给定深度来设 置的第一导通层;

第二光接收元件,其具有所述半导体衬底以及由所述第二导电类 型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面所述给定深度来设置 的第二导通层;第一滤光层,其具有依赖于光的波长的透光率,其设 置在所述第一导通层表面上;以及

第二滤光层,其透光率的依赖关系与所述第一滤光层的依赖关系

不同,其设置在所述第二导通层表面上,

其中,通过使用所述第一光接收元件中积累的电荷与所述第二光 接收元件中积累的电荷之间的差来检测光强度。

2.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一 滤光层和所述第二滤光层具有导电性。

3.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一

滤光层和所述第二滤光层由所述第一导电类型的半导体形成。

4.如权利要求1所述的光电检测半导体器件,其中,所述第一

滤光层和所述第二滤光层由多晶硅形成。

5.一种光电检测器,包括:

积累部件,其与如权利要求1所述的光电检测半导体器件连接, 且其用于将分别在所述光电检测半导体器件的所述第一光接收元件 和所述第二光接收元件中所产生的电荷积累在其每个中;

取差部件,其用于获取所积累的电荷之间的差;以及

差输出部件,其用于发送所获取的差。

6.一种图像显示装置,包括:

如权利要求5所述的光电检测器;

用于显示图像的图像显示部件;

明亮度确定部件,其用于借助来自所述光电检测器的输出来确定 外部的明亮度;以及

亮度调整部件,其用于根据所确定的明亮度来调整所述图像显示 部件的亮度。

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