[发明专利]利用现场等离子体激励对室进行清洗的方法和设备

权利要求书

1、一种衬底处理室，包括：

室体，所述室体具有设置在其侧壁上的至少一个等离子体源开口；

位于所述室体内的可移动的衬底支架，所述衬底支架处于其中衬底设置在所述等离子体源开口之下的第一位置、以及其中所述衬底设置在所述等离子体源开口之上的第二位置；

耦合到所述等离子体源开口的等离子体源；

耦合到所述室体以从其中抽吸流体的真空泵；

耦合到所述室体以向其中注入气体的气体源。

2、根据权利要求1所述的处理室，其中所述等离子体源开口包括电介质窗，并且其中所述等离子体源包括微波源。

3、根据权利要求1所述的处理室，其中所述等离子体源包括将RF功率提供给缠绕在管状导管周围的线圈的RF能量源，所述管状导管以流体连通的方式连接到所述等离子体源开口。

4、根据权利要求3所述的处理室，其中所述管状导管包括电介质管。

5、根据权利要求3所述的处理室，其中所述管状导管包括具有电介质断路器的导体管。

6、根据权利要求1所述的处理室，其中所述管状导管在彼此以180度相对的两点处连接到所述室体。

7、一种具有现场等离子体清洗能力的处理室，包括：

具有侧壁的室体；

设置在所述室体之上的喷头；

耦合到所述室体的所述侧壁的等离子体能量源；

可移动的衬底支架，其具有在位于所述等离子体能量源之上的同时使衬底以细小的间隙设置在所述喷头之下的较高位置、以及位于所述等离子体能量源之下的较低位置。

8、根据权利要求7所述的处理室，其中所述等离子体能量源是电介质窗。

9、根据权利要求7所述的处理室，其中所述等离子体能量源是RF能量源。

10、根据权利要求7所述的处理室，其中所述等离子体能量源是耦合到所述侧壁的管状导管。

11、根据权利要求10所述的处理室，其中所述管状导管是导电性的并且还包括电介质断路器。

12、一种用于操作衬底处理室的方法，所述衬底处理室在其侧壁上具有用于进行现场室清洗的等离子体能量源，该方法包括：

将衬底装载到位于所述室中的衬底支架上；

将所述衬底支架升至高于所述等离子体能量源的水平高度；

对所述衬底进行处理；

将所述衬底支架降至低于所述等离子体能量源的水平高度；

卸载所述衬底；

激活所述等离子体能量源以在所述室内激发并保持等离子体以执行现场室清洗。

13、一种在具有可变处理腔的衬底处理室中，用于操作所述室的方法，包括：

通过将所述可变腔设置为第一容积而将所述室置于第一操作模式下；

对衬底进行处理；

通过扩大所述可变腔以使其具有大于所述第一容积的第二容积而将所述室置于第二操作模式下；

在其第二容积下，在所述可变腔内轰击并保持等离子体从而执行所述可变腔的现场清洗。