[发明专利]粘结的促进无效
申请号: | 200810190986.8 | 申请日: | 2008-12-12 |
公开(公告)号: | CN101533787A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | A·艾格利;尹志伟;黄永光 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C23F1/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 粘结 促进 | ||
1、一种方法,包括:
a)提供一种组合物,该组合物包括一种或多种无机酸,一种或多种杂环氮化 合物;和
b)将上述组合物施加于镍或镍合金层以刻蚀所述层。
2、如权利要求1所述的方法,进一步包括阳极刻蚀镍或镍合金的步骤。
3、如权利要求1所述的方法,其中杂环氮化合物选自噻唑和硫醇。
4、如权利要求3所述的方法,其中硫醇选自巯三唑和巯四唑。
5、如权利要求1所述的方法,其中巯三唑的化学式为:
其中,M是H、NH4、Na或K;R1和R2各自独立地为取代或不取代的(C1-C18) 烷基、或者取代或不取代的(C6-C10)芳基。
6、如权利要求1所述的方法,其中巯四唑的化学式为:
其中,M是H、NH4、Na或K;R3为取代或不取代的(C1-C20)烷基、或者取 代或不取代的(C6-C10)芳基。
7、如权利要求1所述的方法,其中噻唑的化学式为:
其中,R4、R5和R6相同或不同,为H、取代或不取代的(C1-C20)烷基、取代 或不取代的苯基、卤素、氨基、烷氨基、二烷氨基、羟基、烷氧基、羧基、羧 烷基、烷氧羰基、氨羰基、和R7-CONH-,其中R7为H、取代或不取代的(C1-C20) 烷基、取代或不取代的苯基;以及R4、R5和R6可以为稠合到噻唑环上的同素环 或杂环的一部分。
8、如权利要求1所述的方法,进一步包括在刻蚀后的镍或镍合金层上沉积 一种或多种贵金属。
9、如权利要求8所述的方法,其中一种或多种贵金属选择性地沉积在刻蚀 后的镍或镍合金层上。
10、如权利要求1所述的方法,其中刻蚀后的镍或镍合金层被封装在绝缘 体内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限公司,未经罗门哈斯电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810190986.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于聚合物组合物的基本上成比例拉伸模头
- 下一篇:便携式个人电脑及其控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造