[发明专利]元件安装用基板、半导体组件及其制造方法及便携式设备无效
申请号: | 200810191051.1 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101499443A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 小林初;柳瀬康行;冈山芳央;井上恭典 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/498;H01L23/48;H01L21/60;H01L21/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 安装 用基板 半导体 组件 及其 制造 方法 便携式 设备 | ||
技术领域
本发明涉及元件安装用基板、半导体组件及便携式设备。
背景技术
近年来,伴随电子设备的小型化、高性能化,要求电子设备中使用的 半导体元件进一步小型化。伴随半导体元件的小型化,用于安装到印刷线 路基板的电极间的窄间距化是不可缺少的。作为半导体元件的表面安装方 法,已知如下方法:在半导体元件的电极上形成焊料突块,然后软钎焊焊 料突块和印刷线路基板的电极焊盘的倒装芯片安装方法。另外,作为采用 倒装芯片安装方法的结构,公知BGA(Ball GridArray:球栅阵列)或CSP (Chip Size Package:芯片尺寸封装)的结构。
对于这样的结构,公知有由下部电极和在该下部电极上形成的上部电 极构成在半导体基板上形成的突起电极并在下部电极和上部电极上形成低 熔点金属球的半导体装置。该半导体装置的目的在于,通过采用上述结构, 增大突起电极和低熔点金属球的结合面积并提高结合强度,由此谋求提高 结合的可靠性。
但是,在上述现有例的结构中,构成突起电极的下部电极和上部电极 分体构成,另外,配线和突起电极也分体构成。因此,在产生由发热引起 的应力时,恐怕会在下部电极和上部电极的连接部、或者在配线和突起电 极的连接部产生裂纹,导致半导体元件和印刷线路基板的连接可靠性降低。
发明内容
本发明是鉴于这样的状况而作出的,其目的在于提供一种能够提高半 导体组件和印刷线路基板之间的连接可靠性的技术。
为解决上述课题,本发明的一实施方式是元件安装用基板。该元件安 装用基板具有:绝缘树脂层;在绝缘树脂层的一主表面设置的配线层;以 及与配线层电连接并且从配线层向与绝缘树脂层相反的一侧突出而用于支 承连接用金属的突起部,配线层和突起部一体形成。
根据该实施方式,由于配线层和突起部一体形成,所以能够提高半导 体组件和印刷线路基板之间的连接可靠性。
本发明的另一实施方式也是元件安装用基板。该元件安装用基板具有: 绝缘树脂层;在绝缘树脂层的一主表面设置的配线层;与配线层电连接并 且从配线层向与绝缘树脂层相反的一侧突出的突起部;以及在配线层的、 突起部突出设置的区域设置的连接用金属,配线层和突起部一体形成。
根据该实施方式,由于配线层和突起部一体形成,所以能够提高半导 体组件和印刷线路基板之间的连接可靠性。
在上述实施方式中,连接用金属也可以覆盖突起部的全部表面。
在上述实施方式中,也可以在突起部的表面(顶部面和/或侧面)形成 凹凸。
在上述实施方式中,凹凸的十点平均粗糙度(Rz)也可以在0.5~3.0μm 的范围内。
在上述实施方式中,配线层以及突起部也可以由轧制金属形成。
在上述实施方式中,突起部的侧面也可以是从配线层的主表面开始随 着接近突起部的顶部而直径缩小的锥形。
在上述实施方式中,具有保护层,该保护层具有在与突起部对应的区 域内形成的开口部,该保护层设置于突起部突出的一侧的配线层的主表面, 以使突起部从开口部突出,连接用金属的一部分与开口部的内侧面抵接。
在上述实施方式中,连接用金属也可以在突起部的顶部面形成。
本发明的又一实施方式是半导体组件。该半导体组件具有:上述任何 一种实施方式的元件安装用基板、和安装于元件安装用基板的半导体元件。
在上述实施方式中,也可以是,元件安装用基板具有与配线层电连接 且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极,半导体元件具有面对突起电 极的元件电极,突起电极贯通绝缘树脂层,突起电极和元件电极电连接。
本发明的又一实施方式是便携式设备。该便携式设备安装有上述任何 一种实施方式的半导体组件。
本发明的又一实施方式是元件安装用基板的制造方法。该元件安装用 基板的制造方法包含:在绝缘树脂层的一主表面层叠金属板的工序;选择 地除去与绝缘树脂层相反的一侧的金属板的主表面并形成用于支承连接用 金属的突起部的工序;和选择地除去金属板并形成配线层的工序。
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