[发明专利]多位数据存储系统和读取操作有效

专利信息
申请号: 200810191188.7 申请日: 2008-09-08
公开(公告)号: CN101458954A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 李承宰;姜东求;宋承桓;孔骏镇;蔡东赫;朴诚正 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C29/00;G11C11/56;G11C16/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储系统 读取 操作
【权利要求书】:

1.一种用于包括多个存储单元的存储系统的读取方法,其中每个存储单 元存储多位数据,该方法包括:

参照在所述多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据 状态,确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿;以及

如果该读取数据需要补偿,则用补偿读取数据取代该读取数据,

其中,与需要补偿的读取数据相对应的阈值电压高于与所述补偿读取数 据相对应的阈值电压,

其中,确定从所选存储单元中获得的该读取数据是否需要补偿的步骤包 括:

计算关于该所选存储单元的电场耦合漂移值和与区分该所选存储单 元的当前数据状态相关的读取电压的平均读取电压值;

确定该电场耦合漂移值是否大于该平均读取电压值;以及

如果该电场耦合漂移值大于该平均读取电压值,则确定从该所选存 储单元获得的读取数据需要补偿,

其中,该电场耦合漂移值是由以下公式计算得到:

Σm=0i-1(αm×ΔVm),]]>

其中i是所述相邻存储单元的数目,αm是所选存储单元和每个相邻存储 单元之间的各个耦合率,以及ΔVm是与将每个相邻存储单元编程至预定状态相 关的各个电压偏差。

2.根据权利要求1的方法,进一步包括:

对该所选存储单元执行读取操作以获得该读取数据;

确定该读取数据是否是可纠正的;以及

当确定该读取数据是不可纠正的时,参照所述相邻存储单元的数据状态 确定该读取数据是否需要补偿,以及如果该读取数据需要补偿,则用补偿数 据代替该读取数据。

3.根据权利要求2的方法,进一步包括:

当该读取数据被确定为可纠正的时,在纠正后输出该读取数据;以及

当确定该读取数据是不可纠正的并且需要补偿时,输出该补偿读取数据。

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