[发明专利]铈和铕掺杂的无机发光材料组合物及包含其的发光器件无效

专利信息
申请号: 200810191196.1 申请日: 2008-11-14
公开(公告)号: CN101451063A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: R·P·勒托奎因 申请(专利权)人: 克里公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 段晓玲;韦欣华
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 无机 发光 材料 组合 包含 器件
【权利要求书】:

1.无机发光材料,其包括式I的化合物:

AaBbCcDdEe         (I)

其中A包括选自由Ca、Sr、Ba、Mg、Y、Hf、镧系元素和碱金属组成的组的一种或多种元素;

B包括Eu和Ce;

C包括一种或多种四面体配位的三价元素;

D包括一种或多种四面体配位的四价元素;

E包括选自由N、O、F、C、S、Cl、Br和I组成的组的一种或多种元素,其中a+b=1和c+d=2;

其中该化合物具有CaAlSiN3型晶体结构。

2.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中a、b、c、d和e满足以下要求:

a为0.7至1.3;

b为0.01至0.3;

c为0.5至1.5;

d为0.5至1.5;

e为2.5至3.5。

3.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中b为0.05至0.2。

4.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中A包括选自Mg、Ba、Sr和Ca的一种或多种元素。

5.根据权利要求4所述的无机发光材料,其中A包括Ca。

6.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中C包括选自Al、B、Ga、P、In、Sc、Y、Gd、Lu和Zr的一种或多种元素。

7.根据权利要求6所述的无机发光材料,其中C包括Al。

8.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中D包括选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf的一种或多种元素。

9.根据权利要求8所述的无机发光材料,其中D包括Si。

10.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中E包括N、C、S、Cl、Br、I和/或F。

11.根据权利要求10所述的无机发光材料,其中E包括N。

12.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中A包括Sr和Ca,其中χ(Sr)+χ(Ca)=1。

13.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中C包括Al,D包括Si,其中c+d=2。

14.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中E包括O和N,χ(O)+χ(N)=3。

15.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中式I的所述化合物以平均颗粒尺寸在约0.5μm至约30μm范围内的粉末存在。

16.根据权利要求1所述的无机发光材料,其中铈和铕以约0.1重量%至约20重量%范围内的浓度共同存在于所述化合物中。

17.根据权利要求1所述的无机发光材料,其最大发射波长在范围500至700nm内。

18.根据权利要求17所述的无机发光材料,其中当所述无机发光材料用在约380nm至约480nm范围内的辐射照射时,产生所述最大发射波长。

19.根据权利要求18所述的无机发光材料,其中半高全宽小于约200nm。

20.发光器件,其包括

根据权利要求1所述的无机发光材料;和

发光源。

21.权利要求20的发光器件,其中所述无机发光材料分散于硅树脂密封剂中。

22.根据权利要求20所述的发光器件,其中所述发光源发射在约380nm至约470nm范围内的波长处具有最大发射的辐射,和其中所述无机发光材料吸收至少一些由所述发光源发射的光,并发射在约500至约700nm的范围内的波长处具有最大发射的光。

23.根据权利要求22所述的发光器件,其中由所述无机发光材料发射的光的所述半高全宽在约120至约200nm范围内。

24.根据权利要求20所述的发光器件,其具有至少80的显色指数(CRI)。

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