[发明专利]触控元件表面加工方法无效
申请号: | 200810192931.0 | 申请日: | 2008-12-31 |
公开(公告)号: | CN101768740A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 许棋凯;邱登甲;张正杰 | 申请(专利权)人: | 兆震实业股份有限公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C14/06;B05D7/24 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 表面 加工 方法 | ||
1.一种触控元件表面加工方法,其特征在于其加工步骤包括:
将触控工件表面先涂布至少一层硬度1H以上的含UV树脂的薄膜,所述UV树脂选自聚氨酯系列UV树脂、聚丙烯酸类系列UV树脂或环氧系列UV树脂中的至少一种;
再溅镀硅、钛或铝的无机纳米金属靶材于所述薄膜表面,经等离子体氧化形成含二氧化硅、氧化钛或氧化铝的保护层。
2.如权利要求1所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述UV树脂为聚氨酯系列UV树脂、聚丙烯酸类系列UV树脂和环氧系列UV树脂的混合物。
3.如权利要求1或2所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述二氧化硅、氧化钛或氧化铝是以的沉积速率沉积于工件表面。
4.一种触控元件表面加工方法,其特征在于其加工步骤包括:
将触控工件表面先涂布至少一层硬度1H以上的含UV树脂的薄膜;
再溅镀一无机纳米金属靶材于所述薄膜表面形成一保护层;
于所述保护层表面再植入氟碳化物处理以形成一防污层。
5.如权利要求4所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述UV树脂选自聚氨酯系列UV树脂、聚丙烯酸类系列UV树脂或环氧系列UV树脂中的至少一种。
6.如权利要求4所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述无机纳米金属靶材为硅、钛或铝。
7.如权利要求6所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述硅、钛或铝靶材经等离子体氧化反应成二氧化硅、氧化钛或氧化铝,并以的沉积速率沉积于工件表面进而形成保护层。
8.如权利要求4所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述氟碳化物溶于溶剂中以喷涂、浸涂、滚涂的方式涂布于工件,再于50-95℃烘烤40-80min。
9.如权利要求4所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述氟碳化物以0.2-2c.c/min滴入真空腔中气化扩散,经15-60sec沉积于工件表面。
10.一种触控元件表面加工方法,其特征在于其加工步骤包括:
将触控工件表面先涂布至少一层色料层;
再涂布至少一层硬度1H以上的含UV树脂的薄膜;
再溅镀一无机纳米金属靶材于所述薄膜表面形成一保护层;
于所述保护层表面再植入氟碳化物处理以形成一防污层。
11.如权利要求10所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述色料层为印刷油墨或油漆或含色料PU薄膜。
12.如权利要求10所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述无机纳米金属靶材为硅、钛或铝。
13.如权利要求12所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述硅、钛或铝靶材经等离子体氧化反应成二氧化硅、氧化钛或氧化铝,并以的沉积速率沉积于工件表面进而形成保护层。
14.如权利要求10所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述UV树脂选自聚氨酯系列UV树脂、聚丙烯酸类系列UV树脂、环氧系列UV树脂中的至少一种。
15.如权利要求10所述的触控元件表面加工方法,其特征在于所述氟碳化物以0.2-2c.c/min滴入真空腔中气化扩散,经15-60sec沉积于工件表面。
16.如权利要求10所述的一种触控元件表面加工方法,其特征在于所述氟碳化物溶于溶剂中以喷涂、浸涂、滚涂等方式涂布于工件,再于50-95℃烘烤40-80min。
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