[发明专利]通过控制抛光温度改进化学机械抛光

权利要求书

1.一种制备用于化学机械抛光CMP工艺的抛光垫的方法，所述方法 包括：

将第一清洗溶液的温度控制到第一期望的温度设定点；

使用所述温度控制的第一清洗溶液对抛光垫进行清洗；

在清洗步骤之后，对第一晶片的表面进行第一次CMP工艺；

将第二清洗溶液的温度控制到第二期望的温度设定点；

使用所述温度控制的第二清洗溶液对抛光垫进行清洗；

在清洗步骤之后，对所述第一晶片的表面进行第二次CMP工艺；

其特征在于，所述第一期望的温度设定点与所述第二期望的温度设定 点不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度控制的第一清洗溶液是 去离子水。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一期望的温度设定点与进 行所述CMP处理的环境室温相差超过2℃。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一期望的温度设定点高于 或低于所述室温超过3℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一期望的温度设定点在26 ℃～100℃之间，或所述第一期望的温度设定点在1℃～22℃之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中对第一清洗溶液温度进行控制的 步骤是通过含有热交换介质的温度控制器完成的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度设定点低于室温， 且所述第二温度设定点高于室温。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有铜，所 述第一期望的温度设定点在30℃-40℃之间，所述第二期望的温度设定点在 40℃-50℃之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有铜，所 述第一期望的温度设定点在30℃-40℃之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有TaN， 所述第一期望的温度设定点在40℃-50℃之间。

11.一种用于在晶片上加工集成电路的设备，所述设备包括：

抛光垫；

两个清洗臂，其被设置成可以在所述抛光垫上和抛光垫下移动；

连接到所述清洗臂上的管；

连接到所述管的第一温度控制器，所述第一温度控制器被配置成将室 温溶液的温度控制到第一期望的温度设定点；和

连接到所述管的第二温度控制器，所述第二温度控制器被配置成将室 温溶液的温度控制到第二期望的温度设定点；

其中，所述第一期望的温度设定点与所述第二期望的温度设定点不同。

12.根据权利要求11所述的设备，其还包括与所述第一温度控制器和 管之一连接的温度传感器，和与所述温度传感器和所述第一温度控制器连 接的控制单元，其中所述控制单元被配置成使用从所述温度传感器获得的 数据控制所述第一温度控制器。