[发明专利]多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，其特征在于：

依次由玻璃衬底、在玻璃衬底上沉积的透明导电薄膜下电极，在透明导电薄膜下电极上通过热丝化学气相沉积生长的叠接在一起的下子电池和上子电池、上电极，以及在上电极和上子电池之间的一层Ag金属反射层组成；

其中透明导电薄膜下电极是氧化铟锡，或者铝掺杂氧化锌或者氧化锡；

其中下子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型碳化硅层/p型碳化硅层构成；

其中上子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型多晶硅层/p型多晶硅层构成；

其中上电极为Al金属层；

上述p型碳化硅层的厚度为150nm-1500nm，载流子浓度为：1×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3；n型碳化硅层的厚度为15-200nm，载流子浓度为：1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3；

上述p型多晶硅层的厚度为100-2000nm，载流子浓度为：1×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3；n型多晶硅层的厚度为15-200nm，载流子浓度为：1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3。

2.根据权利要求1所述的多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池， 其特征在于：透明导电薄膜下电极的可见光透过率大于85％，电阻率小于5×10^-3Ω·cm。

3.一种多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，其特征在于：

依次由不锈钢衬底、Ag金属反射层、透明导电过渡层、在过渡层上通过热丝化学气相沉积生长的叠接在一起的下子电池和上子电池、以及透明导电上电极组成；

其中透明导电过渡层和透明导电上电极是氧化铟锡，铝掺杂氧化锌或者氧化锡；

其中下子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型多晶硅层/p型多晶硅层构成；

其中上子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型碳化硅层/p型碳化硅层构成；

上述p型多晶硅层的厚度为100-2000nm，载流子浓度为：1×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3；n型多晶硅层的厚度为15-200nm，载流子浓度为：1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3；

上述p型碳化硅层的厚度为：150nm-1500nm，载流子浓度为：1×10¹⁶cm^-3至5×10¹⁷cm^-3；n型碳化硅层的厚度为：15-200nm，载流子浓度为：1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3。

4.根据权利要求3所述的多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，其特征在于：透明导电上电极的可见光透过率大于85％，电阻率小于5×10^-3Ω·cm。