[发明专利]卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法

权利要求书

1.一种卤素制冷剂检测传感器敏感材料，其特征在于包括内层SnO₂纳米材料和外层增敏材料，内层SnO₂纳米材料为四方晶系结构SnO₂，JCPDS 41-1445，通过Scherrer公式计算得粒子平均尺寸为5.2nm；用下述方法制备：

a.内层SnO₂纳米材料的制备：以结晶四氯化锡SnCl₄·5H₂O为原料，配制成锡盐溶液A；将氨水和去离子水混合均匀得到溶液B；将溶液B在搅拌条件下，逐滴加入到溶液A中，控制pH＝2-7，滴定速度控制在1mL/min得到白色沉淀；将所得白色沉淀离心洗涤，烘干，在550℃的条件下煅烧2小时，制得内层SnO₂纳米材料；

所述锡盐溶液A是将每2.3g SnCl₄·5H₂O在搅拌条件下溶解于50-150ml去离子水中制得；

所述溶液B中氨水和去离子水的体积比为1∶1；

b.外层增敏材料的制备：采用0.1％-1％Pd量子点浸渍掺杂介孔SiO₂；即通过介孔SiO₂负载Pd量子点制得。

2.根据权利要求1所述的卤素制冷剂检测传感器敏感材料，其特征在于：外层增敏材料的制备采用贵金属量子点进行掺杂，Pd量子点的掺杂比例为0.1％-0.5％。

3.根据权利要求1所述的卤素制冷剂检测传感器敏感材料，其特征在于：外层增敏材料的制备采用贵金属量子点进行掺杂，Pd量子点的掺杂比例为0.3％。

4.一种卤素制冷剂检测传感器气敏元件的制备方法，其特征在于采用两步法制备气敏元件，首先采用厚膜式半导体传感器制作工艺制备SnO₂气敏元件，然后采用同样的工艺在外层涂敷增敏材料，所述增敏材料采用0.1％-1％Pd量子点增敏材料浸渍掺杂介孔SiO₂；即通过介孔SiO₂负载Pd量子点制得；具体方法是：

将内层SnO₂纳米材料置于研钵中，以每1克内层SnO₂纳米材料加入0.5ml去离子水调成溶液，均匀涂敷在厚膜元件表面；经过500℃退火处理2小时，制得气敏元件半成品；再在气敏元件半成品表面均匀涂敷贵金属量子点负载介孔SiO₂增敏材料，再次经过500℃退火处理2小时，制得气敏元件；最后按厚膜半导体气敏元件制作工艺对气敏元件进行焊接、老化、封装、制得制冷剂检测传感器气敏元件。