[发明专利]一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片无效
申请号: | 200810195844.0 | 申请日: | 2008-09-03 |
公开(公告)号: | CN101350607A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 谢中华;章德 | 申请(专利权)人: | 谢中华;章德 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214035江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 横向 寄生 信号 通道 组合式 谐振器 芯片 | ||
技术领域
本发明涉及一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合式谐振器芯片,属 于声表面波器件技术领域。
背景技术
声表面波谐振器是一种应用非常广泛的频率控制器件,目前已大量应用 于遥控器、汽车摩托车等防盗器及一些电子系统的本地振荡频率发生上。通 常SAW谐振器的频率响应中主谐振峰的高频端附近会出现一个次谐振峰(即 横向模式信号),如图1所示,其结构如图2所示。为了使该次谐振峰不影响 主谐振峰的工作状态,在器件的设计制作中尽量消除次谐振峰或使它离主谐 振峰愈远愈好。通常处理的方法是增大孔径用以减弱次级谐振峰的强度,或 减小器件结构中的换能器孔径,使次谐振峰远离主谐振峰(也即孔径愈小, 次谐振峰就愈远),超出换能器与反射阵的通带范围,由此抑制次谐振峰。但 孔径小了会增加叉指换能器的辐射阻抗,相应地增加了器件的损耗。为了保 证损耗不增加,就一定要减小换能器本身的阻抗,为此,只有增加换能器的 指对数,使器件芯片的总长度变长;可是,这样做显然不利于器件的小型化 封装(SMD陶瓷封装)及高稳定度的要求。
以433.92MHz与315MHz两种通用SAW谐振器为例:
一般的433.92MHz谐振器芯片长度在2.9--3.1mm范围,它的次谐振峰 在主谐振峰高频端的550至750KHz附近(见图5)。如果要使次谐振峰离得 更远,甚至消除(见图9),那么,在减小孔径与增加换能器长度之后,它的 芯片长度需要3.6-3.65mm范围。相应的315MHz谐振器的芯片长度同比 将增加到4.8-5.0mm(随频率的降低反比增长)。这样就无法封装在5×5mm2的SMD陶瓷外壳(其内部空腔面积为3.6×2mm2)之中。
另外,声表面波谐振器最关键的要求是频率精度要做得准确。国外大公 司433.92MHz已开始生产允差为±50KHz的器件。国内厂家一般都是±75KHz 精度,且成品率不高(80%左右)。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处,从而提供一种能抑制横向寄生模 信号的多通道组合式谐振器芯片,能在缩短表面波谐振器芯片的长度并减小 器件损耗的前提条件下,抑制表面波谐振器中的横向寄生模式信号。同时缩 短了每个通道谐振器的孔径,还可以提高生产工艺的频率一致性。
按照本发明提供的技术方案,一种能抑制横向寄生模信号的多通道组合 式谐振器芯片,由换能器、左反射阵及右反射阵组成独立的谐振器结构,特 征是:采用两个或两个以上独立的谐振器相互并联,形成声传播并联之间的 通道,用以减弱次级横向模,电输入电极、电输出电极也并联在独立的谐振 器上,且通过连条连接组成组合式整体谐振芯片,形成电并联用以降低电阻 抗与器件损耗。
所述的通道即为独立谐振器结构之间的声隔离空间。
所述的通道相互之间的间隔为5~15个波长(约36至110微米)。
所述的多通道组合式谐振器芯片中第一独立谐振器、第二独立谐振器与 第三独立谐振器中的换能器孔径为10~20个波长(约75至150微米)。
本发明与已有技术相比具有以下优点:
本发明制作的433.92兆赫SAW谐振器的频率响应,它几乎消除了次谐振 峰的存在,位于433.92兆赫处的主峰损耗可降低到1.818db;谐振器芯片短, 损耗小;在缩短表面波谐振器芯片的长度并减小损耗的前提条件下,可抑制 表面波谐振器中的次谐振峰(横向寄生模式信号),并且采用多通道设计后, 频率精度433.92MHz±75KHz能达到95%以上成品率。因此本发明的多通道设 计可以使谐振器芯片生产精度提高一倍以上,同时还可以提高器件频率的均 匀性。
附图说明
图1为本发明的已有技术中声表面波谐振器频率响应图。
图2为本发明已有技术中声表面波谐振器结构示意图。
图3为各次声表面波模式的传播方向示意图。
图4为各次声表面波模式的质点振动相位极性图。
图5为本发明已有技术中谐振器频率响应图。
图6为本发明将换能器分成条带之后的结构示意图。
图7为本发明的三个独立谐振器结构并联后(实施例一)结构示意图。
图8为本发明的两个独立谐振器结构并联后(实施例二)结构示意图。
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