[发明专利]半导体封装装片工艺方法

说明书

一、技术领域

本发明涉及半导体封装，特别涉及半导体封装装片工艺方法。

二、背景技术

在半导体塑料封装软焊料装片工艺中需用氮氢混合气来作为保护，以提高焊料装片的粘润性能，一般通过工业氮和氢气经过混合装置而制成混合气体。主要缺点是成本高，混合比例难控制，还必须解决运输和存贮的危险性的问题，在封装工艺上，氮氢气体必须按比例混合均匀，由于比例不稳定会给装片的性能带来波动。

三、发明内容

本发明的目的是针对上述专利，提出一种安全、低成本半导体封装装片工艺方法。

本发明提供半导体封装装片工艺方法，焊料装片时采用氮、氢混合气，氮、氢混合气是由液氨分解而成的，液氨分解是由镍触媒活化，升温190-200℃，保温1小时后，升温490-500℃，保温2小时后，再升温640-650℃，保温3小时后，再升温790-800℃，保温2小时，冷却过滤。

本发明的有益效果是，氨分解后产生的氮氢比例固定均匀，氨气分解后氮和氢的比例为1∶3，其保护还原性很好，芯片沾润性更高；设备简单，结构紧凑，占地面积小，能耗低，原料消耗也比较少，氨分解后直接生成氮氢混合气，无需用专门的气混装置对氮氢进行混合，节约了设备成本。

四、附图说明

图1是本发明半导体封装装片工艺方法流程图。

图中：1.液氨，2.减压阀，3.汽化器，4.换热器，5.分解炉，6.冷却塔，7.流量计8.装片

五、具体实施方式

实施例：以液氨1为原料，经汽化3后将氨气逐渐加热到一定温度，升温190-200℃，保温1小时后，升温490-500℃，保温2小时后，再升温640-650℃，保温3小时后，再升温790-800℃，保温2小时，氨经分解炉5分成氢氮混合气体，液氨气化预热后进入装有催化剂镍触媒的分解炉，在一定温度压力和催化剂的作用下氨即分解，产生含氢75％、氮25％的混合气，并吸收一定的热量，分解后的气体经热交换器4和冷却塔6及流量计7后，最后进行纯化处理后使用。

将氨分解后的混合气用于功率晶体管3DD13003 TO-220封装的装片工艺，粘润性好，装片空洞率≤3％，热阻50±5mV，Vces≤0.3V。