[发明专利]高固含量硅烷膏状物及其制备方法无效
申请号: | 200810197007.1 | 申请日: | 2008-09-18 |
公开(公告)号: | CN101367670A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 吴小峰;张群朝;王德才 | 申请(专利权)人: | 湖北德邦化工新材料有限公司 |
主分类号: | C04B41/46 | 分类号: | C04B41/46 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘志菊 |
地址: | 432405湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含量 硅烷 膏状 及其 制备 方法 | ||
1.一种高固含量硅烷膏状物,其组分及质量配比为:硅氧烷单体∶乳化剂∶去离子水=70~85%∶5~10%∶10~25%,其中硅氧烷单体为C3~C18的长链烷基类硅氧烷与其它有机含功能基的硅烷偶联剂的复配体系,其它有机含功能基的硅烷偶联剂为氨基类硅烷偶联剂、烷基类硅烷偶联剂、巯基类硅烷偶联剂、含环氧基类硅烷偶联剂、含乙烯基类硅烷偶联剂以及苯基类硅烷偶联剂;乳化剂为含氟型乳化剂、Tween系列乳化剂、Span系列乳化剂、硬脂酸类乳化剂中的一种以上乳化剂复合体系。
2.根据权利要求1所述的高固含量硅烷膏状物,其特征在于:乳化剂为复合体系,以乳化剂为1来规定各种乳化剂所占的比例,其中Tween系列乳化剂∶Span系列乳化剂∶硬脂酸类∶含氟乳化剂的质量比例为0%~30%∶0%~20%∶20%~100%∶0%~30%。
3.一种权利要求1或2的高固含量硅烷膏状物的制备方法,步骤是:
(1)按硅氧烷单体∶乳化剂∶去离子水=70~85%∶5~10%∶10~25%的比例,将乳化剂加入到硅氧烷单体中,边加热边搅拌,加热到50℃~100℃,分散均匀,得到油相长链烷基硅烷单体体系;
(2)按权利要求1给出的比例,将20℃~90℃的去离子水在机械力的作用下加入到油相长链烷基硅烷单体中剪切乳化,分散均匀,得到水相长链烷基硅烷单体体系;
(3)待体系冷却到结膏,体系由乳状液变成白色的膏状物,其体系特征结膏温度为28℃~50℃。
4.根据权利要求3所述的高固含量硅烷膏状物的制备方法,其特征在于:步骤1油相过程加热温度为70℃~85℃。
5.根据权利要求3或4所述的高固含量硅烷膏状物的制备方法,其特征在于:步骤2水相过程温度为40℃~85℃。
6.根据权利要求3或4所述的高固含量硅烷膏状物的制备方法,其特征在于:步骤1油相过程加热温度为85℃。
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