[发明专利]一种微纳深沟槽结构在线测量方法及装置有效

专利信息
申请号: 200810197279.1 申请日: 2008-10-17
公开(公告)号: CN101393015A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 刘世元;张传维;史铁林 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01B11/22 分类号: G01B11/22;G01B11/02;H01L21/66
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 深沟 结构 在线 测量方法 装置
【权利要求书】:

1.一种微纳深沟槽结构在线测量方法,其步骤包括:

第1步将线偏振红外光束投射到包含微纳深沟槽结构的待测物品表面,红外光束的波长为2~20um;

第2步入射光束经微纳深沟槽结构各表面反射后,采用红外探测器接收各反射信号,得到包含沟槽几何信息的干涉信号;

第3步对第2步得到的干涉信号进行傅立叶变换,得到基于波数的红外反射光谱;

第4步对第3步得到的红外反射光谱进行低通滤波,滤除待测物品背部杂散光光谱,得到反映沟槽结构特点的测量反射光谱;

第5步根据待测深沟槽结构特点,建立其等效多层薄膜堆栈光学模型,利用式(I)计算得到的各波长下的等效多层薄膜堆栈的反射系数r,利用反射系数r得到该沟槽结构的理论反射光谱;

r=M21M11---(I)]]>

其中,M11M12M21M22=D0-1[Πl=1NDlPlDl-1]Ds---(II)]]>

其中式(II)中,M11、M12、M21、M22为多层光学传播矩阵各项中间变量,D0是环境的光学特征矩阵,Ds是基底的光学特征矩阵,Pl是第l层相位变化角的矩阵函数,Dl是等效多层薄膜堆栈第l层的折射率和折射角的矩阵函数,其中,Dl按照式(III)或(IV)计算:

对于TE偏振方向:

Dl=11nTE2cosθl-nTE2cosθl---(III)]]>

对于TM偏振方向:

Dl=cosθlcosθlnTM2-nTM2---(IV)]]>

其中,θl为第l层折射角,nTE2和nTM2为各等效层TE偏振和TM偏振方向的等效折射率,其计算式分别为式(V)和式(VI):

nTE2={nTE02+13[πf(1-f)pλ]2(ng2-nm2)2}1/2---(V)]]>

nTM2={nTM02+13[πf(1-f)pλ]2(1ng2-1nm2)2nTM06nTE02}1/2---(VI)]]>

其中,nTE0和nTM0分别是TE和TM偏振方向的零阶等效折射率,即在散射测量法中零级衍射;λ是探测光束波长,p是沟槽阵列周期长度,f是各层占空比,ng和nm分别是沟槽材料和其中填充材料折射率;

第6步利用第5步得到的理论反射光谱拟合第4步得到的测量反射光谱,提取得到微纳深沟槽结构的几何形貌参数。

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