[发明专利]沟槽制作方法及系统无效
| 申请号： | 200810200272.0 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685773A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈荣堂;金达;徐宽;顾菁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 制作方法 系统 | ||
1、一种沟槽制作方法，所述沟槽需制作在有孔的基体上，且孔开口区位于沟槽开口区内，其特征在于，该方法包括：
向孔开口所在的基体表面填涂负光刻胶，形成负光刻胶层；
光照所述表面上沟槽开口区之外区域的负光刻胶层；
显影去除未光照过的负光刻胶层；
以残留的负光刻胶层为掩膜，刻蚀该基体形成所述沟槽。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体、孔及沟槽为大马士革结构的组成部分，其中大马士革结构用于连接集成电路中一个以上互连层的元件。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基体包含一个以上电介质层和一个以上刻蚀停止层。
4、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述大马士革结构以铜为导电材料，其中铜填充至所述孔及沟槽。
5、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述集成电路为闪存或动态随机存储器。
6、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于5800埃。
7、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽宽度小于1500埃。
8、一种沟槽制作系统，所述沟槽需制作在有孔的基体上，且孔开口区位于沟槽开口区内，其特征在于，该系统包括：
负光刻胶填涂单元，用于向孔开口所在的基体表面填涂负光刻胶，形成负光刻胶层；
光照单元，用于光照所述表面上沟槽开口区之外区域的，由负光刻胶填涂单元形成的负光刻胶层；
显影单元，用于显影去除光照单元未光照过的负光刻胶层；
刻蚀单元，用于以显影单元显影后，残留的负光刻胶层为掩膜，刻蚀该基体形成所述沟槽。
9、如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述基体、孔及沟槽为大马士革结构的组成部分，其中大马士革结构用于连接集成电路中一个以上互连层的元件。
10、如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述基体包含一个以上电介质层和一个以上刻蚀停止层。
11、如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述大马士革结构以铜为导电材料，其中铜填充至所述孔及沟槽。
12、如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述集成电路为闪存或动态随机存储器。
13、如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述沟槽的深度大于5800埃。
14、如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述沟槽宽度小于1500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
