[发明专利]增加热处理反应室利用率的方法有效
| 申请号： | 200810200276.9 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685766A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 桂远远;赵星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 热处理 反应 利用率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种增加热处理反应室利用率的方法，其特征在于，包括：
将半导体衬底放入热处理反应室；
向热处理反应室内通入第一气体，进行热处理工艺；
将半导体衬底从热处理反应室内取出；
在所述半导体衬底上沉积绝缘介质层；
在充满第一气体的热处理反应室中放入虚拟片；
抽出第一气体后，在反应室中通入第二气体；
将具有绝缘介质层的半导体衬底放入热处理反应室，进行热处理工艺。
2.根据权利要求1所述增加热处理反应室利用率的方法，其特征在于，所述第一气体为氨气，第二气体为氧气。
3.根据权利要求2所述增加热处理反应室利用率的方法，其特征在于，所述氧气的流量为1～50slm。
4.根据权利要求1所述增加热处理反应室利用率的方法，其特征在于，所述将第二气体完全充满热处理反应室的时间为大于等于10分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
