[发明专利]采用有机化合物辅助低温制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体的方法有效
申请号: | 200810200290.9 | 申请日: | 2008-09-24 |
公开(公告)号: | CN101376520A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 云平;施鹰;谢建军;周鼎 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C01F17/00 | 分类号: | C01F17/00;C09K11/79 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 有机化合物 辅助 低温 制备 ce sup 掺杂 硅酸 发光 方法 | ||
1.一种采用有机化合物低温制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体的方法,其特征在于是有以下的过程和步骤:
a.设计确定Ce3+掺杂硅酸镥的化学分子式:
(Lu1-xCex)2SiO5,其中,x为掺杂稀土Ce的摩尔含量,x=0.001-0.05;
b.将氯化镥粉料及正硅酸乙酯按摩尔比2∶1溶解于适量的异丙醇中,将混合溶液搅拌10-60分钟后加入反应助剂环氧丙烷,环氧丙烷的加入量按Lu的摩尔含量为基准,即两者的比值为:PPO∶Lu=20∶1;随后加入少量硝酸铈,硝酸铈的加入量按上述化学式计算,即Lu3+∶Ce3+=(1-x)∶x,x=0.001-0.05;将混合溶液在密闭环境下,磁力搅拌下反应6-30小时后,获得乳白色凝胶状沉淀物;既为前驱沉淀物;
c.将上述前驱沉淀物置于空气气氛下60-100℃干燥5-20小时,然后于900-1300℃下进行煅烧处理,并在该温度下保温2-6小时;升温速率为1-5℃/分钟;最终得到Ce3+掺杂多晶硅酸镥发光粉体。
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