[发明专利]一种非极性GaN薄膜的生长方法有效
| 申请号： | 200810200459.0 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101358337A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 gan 薄膜 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非极性GaN薄膜的生长方法，其利用MOCVD系统在铝酸锂衬底上合成生长，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一：在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)；
步骤二：利用MOCVD系统在铝酸锂衬底上合成生长非极性GaN薄膜；
该步骤二进一步包括以下步骤：
步骤A：在MOCVD系统中，在N2保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，生长低温保护层时反应室压力150-500torr，TMGa流量1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-2E-4mole/min；
步骤B：降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长U-GaN层，TMGa流量10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-8E-4mole/min；
步骤C：再升温到1150-1200℃，生长100nm，
步骤D：再降温到1000-1100℃生长U-GaN。
2.如权利要求1所述的一种非极性GaN薄膜的生长方法，其特征在于：在步骤A中，在生长开始之前，先对铝酸锂衬底表面在600-900℃下进行原位热处理。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
