[发明专利]一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810200932.5 申请日: 2008-10-09
公开(公告)号: CN101372757A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 薛敏钊;苏瑾莉;马宁;盛巧蓉;张青;刘燕刚 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C25D9/02 分类号: C25D9/02
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 罗荫培
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 铜酞菁 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法,其特征在于制备方法如下,以下均以重量份来表示:

(1)将2.88~28.8份铜酞菁和5700~11400份质子酸进行混合,再加入37200~40000份有机溶剂,超声波处理15~20分钟,配成浓度为1×10-4~1×10-3mol/L的铜酞菁溶液;

(2)将正负电极放入上述配置的铜酞菁溶液中,正电极是铂电极,负电极是导电的金属片或透明的导电玻璃片,导电的金属片或透明的导电玻璃片在使用前依次在去离子水、丙酮、异丙酮、乙醇中超声波处理15~20分钟,烘干2~3小时,铜酞菁溶液的温度是20~60℃,使用0.5~3V的电压,电沉积5~60分钟,然后依次在氨水和去离子水中洗涤,再真空干燥3~4小时,在负极上得到一种纳米铜酞菁薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法,其特征是质子酸为三氟乙酸或硫酸。

3.根据权利要求1所述的一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法,其特征是有机溶剂为三氯甲烷、N,N-二甲基甲酰胺或硝基甲烷。

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