[发明专利]像素结构无效
申请号: | 200810201207.X | 申请日: | 2008-10-15 |
公开(公告)号: | CN101369590A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 高孝裕 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L29/41;H01L29/417;G02F1/13;G02F1/1368 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素结构,特别是涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)的像素结构。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)是目前最被广泛使用的一种平面显示器,它具有低功率、薄形质轻、以及低电压驱动等优点。随着面板设计尺寸的不断增大,制作工艺的复杂度与难度也随着尺寸的不断增加而日益升高。因此,在设计上很难兼顾制作工艺的限制以及控制制作工艺误差对面板显示品质的影响,而它们是影响产能与良率的重要因素。通常在液晶显示器的生产过程中,常易受到制作工序污染或静电破坏,使薄膜晶体管异常的短路或断路,因而造成像素的点缺陷,如亮点、暗点以及辉点。
图1为现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。请参见图1,栅极线11和数据线13相交处形成有像素电极15。由栅极(位于栅极线11下面,图未示),第一半导体电极121、源极电极131与漏极电极132组成的晶体管控制像素电极15的充放电。漏极电极132通过接触孔14和像素电极15电性接触。此外,该像素结构还包括由一浮接金属电极111、一第二半导体电极122、一源极凸起部133和一漏极凸起部134组成的二极管。当该晶体管失效时,可采用激光修复的方法,在修复点135处打点,这样浮接金属电极111与源极凸起部133利用熔融的金属电连接起来,与第二半导体电极122及漏极凸起部134组成一个二极管,从而达到修复的目的。当数据线13处于高电位时,利用二极管的正向导电特性,数据线13的信号写入到像素电极15上;当数据线13处于低电位时,利用二极管的反向漏电特性对像素电极15进行放电。由于二极管这种单向导通特性,因此无法完全对像素电极15进行放电。
图2为另一种现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。请参见如图2,一栅极线21,一半导体层22,源极电极233,漏极电极231与漏极电极232分别位于像素电极251与像素电极252上。漏极电极231通过接触孔24和像素电极251电性接触。这样在栅极线上对称分布着两个晶体管。当像素252上的晶体管失效时,可以利用其位于上一个栅极线上的晶体管进行修复。采用激光修复的方法,利用熔融的金属在修复点234处将像素电极252与漏极电极232相连接。由于修复后像素电极252的信号完全与像素电极251相同,因此显示的信号非预定的设计值,而且采用该像素设计,增加栅极的信号延迟。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种像素结构,可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种像素结构,包括:
一栅极电极层,包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极;
一栅极绝缘层,设置于所述栅极电极层上;
一半导体层,设置于所述栅极绝缘层上,包括第一半导体电极和第二半导体电极;
一源极/漏极电极层,设置于所述半导体层上,包括一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极,该源极电极和该数据线相连,该漏极电极上形成有一漏极凸起部,该数据线上形成有一源极凸起部,该第二浮接金属电极和所述源极电极、漏极电极及数据线电性隔绝;
一栅极电极层,包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极;
其中,该源极电极与漏极电极分别与该第一半导体电极部分重叠,该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠,该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。
本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明像素设计有一浮接的晶体管。当该像素发生点缺陷时,可以利用该晶体管对其进行修复,从而使该像素正常显示。本发明提供的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。
附图说明
图1为现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。
图2为另一种现有技术的液晶显示装置的部分像素结构平面示意图。
图3为本发明的部分像素结构平面示意图。
图4为图3部分放大图及修复示意图。
图中:
11 栅极线 13 数据线 14 接触孔
15 像素电极 111 浮接金属电极 121 第一半导体电极
122 第二半导体电极 131 源极电极 132 漏极电极
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的