[发明专利]像素结构有效
申请号: | 200810201213.5 | 申请日: | 2008-10-15 |
公开(公告)号: | CN101728400A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 何宣仪;何建国 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
技术领域
本发明是有关于一种像素结构,且特别是有关于一种像素结构中共享配 线的设计。
背景技术
现今社会多媒体技术相当发达,多半受惠于半导体组件与显示装置的进 步。就显示器而言,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等 优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。一般而言,薄膜晶体管液晶显示器是由 一主动组件数组基板、一彩色滤光基板与夹于两者之间的液晶层所构成。其 中,主动组件数组基板会具有多个像素结构。
图1是公知像素结构的上视图。请参考图1,公知像素结构100包括一基 板110、一扫描线120、一数据线130、一共享配线140、一薄膜晶体管150 与一像素电极160。其中,位于基板110上的薄膜晶体管150可与扫描线120 与数据线130电性连接。实务上,开关讯号可以透过扫描线120的传递而将 薄膜晶体管150开启。在薄膜晶体管150开启后,显示讯号可以透过数据线 130而传递至与薄膜晶体管150电性连接的像素电极160中。
值得注意的是,位于共享配线140旁的区域A很容易因研磨(Rubbing) 不良而有漏光现象。详言之,共享配线140会使覆盖于其上方的膜层较为凸 出,且共享配线140的延伸方向与配向制程的研磨方向R具有相当的差异。 如此一来,当配向用的刷毛(未绘示)沿着研磨方向R进行研磨时,配向用 的刷毛并不易有效地对区域A进行研磨,因此区域A很容易有研磨不良的问 题。这会造成公知的像素结构100会产生漏光以及对比降低的问题,实有改 进的必要。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种像素结构,其可有效改善漏光问题且能具有 良好的对比。
本发明提出一种像素结构,其包括一基板、一扫描线、一图案化共享配 线、一主动组件、一数据线、一保护层与一像素电极。扫描线、图案化共享 配线与主动组件皆配置于基板上。其中,主动组件具有一向外延伸的绝缘层, 以覆盖扫描线与图案化共享配线。此外,图案化共享配线至少具有一第一侧 边与一第二侧边。第一侧边的延伸方向与第二侧边的延伸方向夹一第一角度。 另外,数据线配置于绝缘层上,且主动组件电性连接扫描线与数据线。本发 明的保护层覆盖主动组件。上述的像素电极配置于保护层上,且与主动组件 电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的第一角度介于15度~60度之间。
在本发明的一实施例中,上述的图案化共享配线更包括二分支,分别连 接于图案化共享配线的两端,以呈现出H形。
在本发明的一实施例中,上述的图案化共享配线更包括一分支,此分支 的一端连接至图案化共享配线的一端,以呈现出反L形。
在本发明的一实施例中,上述的扫描线具有一第三侧边与一第四侧边, 第三侧边的延伸方向与第四侧边的延伸方向夹一第二角度。
在本发明的一实施例中,上述的像素结构,其中第二角度介于度15~60 度之间。
本发明图案化共享配线的第一侧边与第二侧边的延伸方向会夹一第一 角度。通过改变所形成的第一角度,以避免图案化共享配线的延伸方向与研 磨(Rubbing)方向差异过大,进而可改善配向不良的问题。此外,扫描线的 第三侧边与第四侧边亦可形成一第二角度,以进一步改善配向不良的问题。 因此,本发明的像素结构可有效改善因配向不良而产生的漏光现象,进而能 有良好的对比。
附图说明
图1是公知像素结构的上视图;
图2A是本发明第一实施例的像素结构示意图;
图2B是图2A中沿着I-I’剖面线的剖面示意图;
图3是本发明第二实施例的像素结构示意图;
图4是本发明第二实施例的像素结构示意图。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并 配合所附图式,作详细说明如下。
具体实施方式
第一实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的