[发明专利]一种化学机械抛光用磨料及其制备方法有效
申请号: | 200810201230.9 | 申请日: | 2008-10-15 |
公开(公告)号: | CN101372560A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C09C1/68 | 分类号: | C09C1/68;C09C3/06;C09G1/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 磨料 及其 制备 方法 | ||
1.一种化学机械抛光用磨料,其包括基体及包覆层,其特征在于:所述基体是SiO2胶体,所述包覆层是硅氧铝键连,所述SiO2胶体由粒径为5-200nm SiO2制成;所述SiO2胶体是碱性SiO2胶体;所述硅氧铝键连是一种Si-O-Al结构。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光用磨料,其特征在于:其所用的SiO2粒径为50-100纳米。
3.一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一,制备SiO2胶体;
步骤二,由铝盐水解法制备AlOOH溶液;
步骤三,由离子交换法制备活性硅酸;
步骤四,使用粒子生长法制备化学机械抛光用磨料;
所述步骤四包括以下步骤:取步骤一中的SiO2胶体200ml做母体,取步骤二和步骤三中生成的AlOOH溶液和活性硅酸溶液,缓慢将AlOOH溶液和活性硅酸溶液加入SiO2胶体中,并同时加入有机碱或无机碱保持pH值9-11之间,并同时加热温度100度,转速为800rpm,加完以后陈化2小时。
4.如权利要求3所述的一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于:该方法进一步包括步骤五:用离心分散法择出粒径相近的化学机械抛光用磨料。
5.如权利要求3所述的一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于:所述步骤一包括以下步骤:选用粒径在5-200纳米之间的SiO2,将其稀释成1%-5%的胶体溶液,用KOH或HCl调节pH值为8-11.5之间。
6.如权利要求3所述的一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于:所述步骤二包括以下步骤:选用有机铝盐或无机铝盐充分研磨,然后按水和铝盐mol比200∶1加入到水中,超声分散;然后放到四口烧瓶中在81-89度下水解1.5-2小时,升温90-95度,加入一定量的HNO3,使pH值在3.0-4.1之间,回流陈化16-28小时。
7.如权利要求6所述的一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于:所述有机铝盐是指异丙醇铝,无机铝盐是指AlCl3。
8.如权利要求3所述的一种化学抛光用磨料制备方法,其特征在于:所述步骤三包括以下步骤:选取40%硅酸钠,稀释成5%浓度,在强阳离子交换树脂下进行离子交换,生成活性硅酸。
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