[发明专利]一种以纳米气泡为模板制备纳米多孔聚吡咯薄膜的方法无效
申请号: | 200810201271.8 | 申请日: | 2008-10-16 |
公开(公告)号: | CN101381472A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 何品刚;惠飞;方禹之 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | C08J9/00 | 分类号: | C08J9/00;C08L79/04;C08G73/06 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程宗德;石 昭 |
地址: | 20024*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 气泡 模板 制备 多孔 吡咯 薄膜 方法 | ||
1.一种以纳米气泡为模板制备纳米多孔聚吡咯薄膜(4)的方法,其特征在于,具体操作步骤:
第一步电化学产生纳米氢气气泡(2)
电化学过程采用三电极系统,以HOPG为工作电极(1)、铂丝为对电极和参比电极,工作电极(1)兼作产生纳米气泡的基底电极,HOPG是高定向热解石墨,该三电极系统浸没在每升含0.01mol硫酸和1mmol吡咯的溶液中,工作电极(1)上加有电压,该电压介于-1.2V~-2.0V之间,反应时间介于2s~10s之间,工作电极(1)的表面产生纳米氢气气泡(2),纳米氢气气泡(2)依附在工作电极(1)的表面,利用原子力显微镜在溶液中原位观察纳米氢气气泡(2)的大小和分布,纳米氢气气泡(2)的横向尺寸介于25nm~1600nm之间,纳米氢气气泡(2)的数量和大小都与所加电压的大小和反应时间有关,加较低电压和反应较长时间产生的气泡数量较少和尺寸较大,与此相反,加较高电压和反应较短时间产生的气泡数量较多尺寸和尺寸较小;
第二步以纳米氢气气泡(2)作为模板,电化学制备纳米多孔聚吡咯薄膜(4)
以依附在工作电极(1)的表面上的纳米氢气气泡(2)作为模板,在0.5V~0.7V的电压范围内采用循环伏安法电化学聚合吡咯,扫描速度为100mV·s-1,聚吡咯薄膜(3)依附在工作电极(1)的表面上,聚合完成后将工作电极(1)从溶液中取出,洗净,氮气吹干,纳米氢气气泡(2)自动从聚吡咯薄膜(3)中逸出,得到纳米多孔聚吡咯膜(4)。
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