[发明专利]含锑材料作为电阻转换存储材料的应用无效
| 申请号： | 200810201407.5 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101383398A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 作为 电阻 转换 存储 应用 | ||
1、一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，其特征在于，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。
2、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述含锑材料为锑与其他金属的混合物，在混合物中锑材料的原子百分比在40％到99.99％之间。
3、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述含锑材料包括锑与其他金属、非金属材料的混合物。
4、根据权利要求3所述的用途，其特征在于：所述非金属材料作为掺杂杂质在掺杂后得到的组份中原子比含量少于40％。
5、根据权利要求3所述的用途，其特征在于：所述非金属材料杂质为氮、氧、硼、磷、砷、硒、硫、碳中的一种或几种。
6、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述的其他金属为金属材料中的一种或几种。
7、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述含锑材料为锑的氧化物、或锑的氮化物、或锑的氮氧化物。
8、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述含锑材料包括锑的氧化物、或锑的氮化物、或锑的氮氧化物、及掺杂杂质。
9、根据权利要求8所述的用途，其特征在于：针对锑的氧化物、或锑的氮化物、或锑的氮氧化物所述掺杂杂质的原子比含量少于40％。
10、根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述含锑材料为锑及其他金属的混合物、与锑的氧化物、与锑的氮化物、与锑的氮氧化物中的两个或多个组份组成的混合物。
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