[发明专利]光敏性干膜的光刻方法无效
| 申请号： | 200810201559.5 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101727022A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李德君;佟大明;张尔飚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/00;G03F7/038 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光敏 性干膜 光刻 方法 | ||
1.一种光敏性干膜的光刻方法，用于对焊料凸点构图成形，该方法包括步骤：
(1)提供半导体结构，所述半导体结构上具有一个或者以上的开口，形成覆盖所述半导体结构以及开口表面的光敏性干膜；
(2)第一次碾压所述光敏性干膜；
(3)对光敏性干膜进行烘烤；
(4)进行曝光显影，去除半导体结构开口表面上的光敏性干膜；
(5)第二次碾压所述光敏性干膜。
2.根据权利要求1所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：还包括在所述步骤(5)后对光敏性干膜进行干燥、坚膜。
3.根据权利要求1所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：在所述步骤(1)中通过贴膜工艺使光敏性干膜覆盖所述半导体结构以及开口。
4.根据权利要求1所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：所述碾压通过滚轮下压光敏性干膜完成。
5.根据权利要求4所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：所述半导体结构及光敏性干膜加热至55℃～65℃温度范围，所述滚轮加热至65℃～75℃温度范围。
6.根据权利要求4所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：滚轮对光敏性干膜的下压力范围为0.46Mpa～0.56Mpa。
7.根据权利要求1所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：所述光敏性干膜为负胶特性。
8.根据权利要求7所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：所述光敏性薄膜为光敏性聚合物材料，可以为聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对亚苯基苯并双噁唑中的任意一种或者几种的混合物。
9.根据权利要求1所述的光敏性干膜的光刻方法，其特征在于：所述光敏性干膜覆盖于半导体结构的金属种子层上。
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