[发明专利]非布司他新型晶体及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体晶型的控制技术，更具体而言，涉及一种非布司他(Febuxostat)的新型晶体(下文定义为晶型K)及其制备方法。

背景技术

如国际专利申请WO92/09279所述，已知下式所示的非布司他(Febuxostat)具有抑制黄嘌呤氧化酶的活性，具有体内调节尿酸生物合成的活性，在临床上用于痛风病的治疗。非布司他2008年5月已经获准在欧洲上市，IPSEN公司生产，药品商业名为adenuric。

化学结构式：

非布司他晶体有多种晶型。中国专利申请CN1275126记载了由日本帝人公司发明的该化合物的A、B、C、D、G晶型晶体和无定形及其制备方法。其中，晶型A晶体以亚稳态晶型存在；晶型B晶体是由水合物G通过减压干燥得到；晶型C晶体通过溶剂介质介导的多晶型转换制备得到；晶型D晶体是甲醇化合物；晶型G晶体是水合物。该专利申请采用甲醇/水或者异丙醇/水的溶剂体系进行结晶。

中国专利申请CN1970547记载了由重庆医药工业研究院有限责任公司发明的涉及本化合物的3种晶型H、I、J晶体。该专利申请采用乙腈或丙腈/水的溶剂体系进行结晶。

中国专利申请CN101139325记载了由上海医药工业研究院发明的涉及本化合物的两种晶型I、II晶体。该专利申请采用乙醇、乙酸乙酯或者丙酮为溶剂体系进行结晶。

本发明人在研究非布司他的过程中，发现非布司他晶体还有另外一种新晶型。该晶型不同于CN1275126与CN1970547及CN101139325所公开的11种晶型中的任何一种。该晶型的晶体具有很好的稳定性，适于制成各种稳定的药物制剂并长期储存。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种新型的非布司他晶型晶体，即晶型K。本发明的另一目的在于提供非布司他晶型K晶体的制备方法。

根据本发明，本发明的非布司它晶型K晶体，其特征如下：

在如下测试条件下：

X射线管：Cu-Kα靶

X射线波长：1.54056    管压：40KV管电流：60mA

扫描角度：2.5°～50°    扫描速度：4°/min

该晶型晶体的X射线粉末衍射图在反射角20在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2，12.74±0.2，17.18±0.2，和26.12±0.2°处具有特征峰。

更具体而言，该晶体的X射线粉末衍射图特征如下：