[发明专利]用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法无效
申请号: | 200810201924.2 | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101388458A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 张亚非;周志华;张丽英 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 锂电池 氧化 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
1、一种用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,将锡粉放入陶瓷舟中,陶瓷舟置入第二管式炉的中部,溅射有金催化剂的硅片放置在距陶瓷舟1~3cm处,将另一或多种IV~VI族的单体作为生长方向诱导试剂放入另一陶瓷舟,将这一陶瓷舟放入第一管式炉中部,两管式炉用乳胶管连接,持续通入惰性气体,尾部用去离子水封闭气体出口以确保反应系统与外部气体隔离;
第二步,先将第一管式炉加热至800~1300℃,然后,将第二管式炉加热至50~300℃,第二管式炉在50~300℃保持一段时间,而第一管式炉继续保持在800~1300℃一段时间后,自然冷却取出硅片,得到二氧化锡纳米线阵列。
2、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第一步中,锡粉的用量为2~5g。
3、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第一步中,IV~VI族的单体的用量为100~1000mg。
4、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第一步中,惰性气体为N2、Ar或He气中的一种或多种。
5、根据权利要求1或4所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第一步中,惰性气体流量为20~300sccm之间。
6、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第二步中,第二管式炉加热速度为5~20℃/min。
7、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第二步中,第一管式炉加热速度为30~50℃/min。
8、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第二步中,第二管式炉在50~300℃保持5~20min后自然降温。
9、根据权利要求1所述的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,其特征是,所述第二步中,第一管式炉在第二管式炉自然降温后继续保持在800~1300℃下30~60min后自然降温。
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