[发明专利]一种新的发光三极管及其制备方法有效
申请号: | 200810201985.9 | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101393971A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 魏斌;王军;张建华;李博;汪敏 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 三极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光三极管,以有机电致发光二极管为模板,其特征在于该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道,形成一个源(1)和一个漏极(2),该沟道的长度(3)为5微米~30微米;在源(1)和漏极(2)上覆盖有机物层;未改动的阴极作为栅极(4),该阴极为金属电极。
2.一种制备根据权利要求1所述的发光三极管的方法,其特征在于该方法的步骤为:
a.利用电子束平印术在洗净的无荧光的玻璃基片上形成一个长度为5微米~30微米的模式,然后,上面涂上电子束抗蚀剂,即ZEP520A,再使用热蒸发镀上400nm-600nm厚的LiF,接下来,使用不透明的金属Cr镀在基片上面,用热水将LiF剥离掉,超声波处理30-60分钟;最后,使用这个完成的金属Cr模式作为掩膜板,放在涂有光敏剂的ITO图案的基板上,使用紫外线暴露20-30秒钟,最后用刻蚀液清洗35分钟,在ITO上形成一个长度为5微米~30微米的沟道;
b.采用常规技术在步骤a制备的阳极上覆盖上有机物层和金属电极,从而形成发光三极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择