[发明专利]去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法无效
| 申请号： | 200810202117.2 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101727025A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;B08B3/02;B08B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 残留 刻蚀 反应物 颗粒 方法 | ||
1.一种去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成待刻蚀层和图案化光刻胶层；
以光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层；
灰化法去除光刻胶层；
将带有各膜层的半导体衬底放入溶液喷射循环池内，用第一溶液喷射去除光刻胶残留，同时带有光刻胶残留的第一溶液从溶液喷射循环池内流出；
通入第二溶液喷射去除刻蚀过程中残留的刻蚀反应物颗粒，同时带有刻蚀反应物颗粒的第二溶液从溶液喷射循环池内流出。
2.根据权利要求1所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，所述喷射循环池为FSI International厂商生产的型号为ZETA 300。
3.根据权利要求1所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，第一溶液喷射去除光刻胶残留所需温度为140℃～160℃，所需时间为5分钟～7分钟。
4.根据权利要求3所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，所述第一溶液为硫酸和双氧水的混合溶液。
5.根据权利要求4所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的比例为6∶1。
6.根据权利要求1所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，第二溶液喷射去除刻蚀过程中残留的刻蚀反应物颗粒所需温度为50℃～70℃，所需时间为5分钟～7分钟。
7.根据权利要求6所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，所述第二溶液为氨水、双氧水和水的混合溶液。
8.根据权利要求7所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，所述氨水、双氧水和水的比例为1∶1∶5。
9.根据权利要求1所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，通入第一溶液与通入第二溶液之间还包括步骤：
通入去离子水，以去除第一溶液在待刻蚀层上产生的化学残留，同时带有化学残留的去离子水从溶液喷射循环池内流出。
10.根据权利要求1所述去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，去离子水去除化学残留所用时间为9分钟～12分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810202117.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示装置及其背光模块
- 下一篇：液晶显示面板的制作方法
