[发明专利]一种干法贴膜工艺

权利要求书

1.一种干法贴膜工艺，用于光刻制程中在晶圆片表面形成光刻膜，所述工艺流程包括以下步骤：

(1)提供晶圆，所述晶圆上具有待光刻的半导体结构，在晶圆片表面涂布一层钝性粘合剂形成粘合剂层；

(2)将晶圆片送入加热炉中，加热烘干粘合剂；

(3)将晶圆片送入贴膜机进行碾压贴膜；

(4)将贴好膜的晶圆片送入固化炉中干燥、坚膜。

2.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(1)使用旋转涂覆将晶圆片自转，在晶圆片表面均匀涂布粘合剂。

3.如权利要求2所述的干法贴膜工艺，其特征在于所述粘合剂为液态粘合剂，其主要化学成分为：水解三乙酰氧基乙烯基硅烷(VTAS)0.1～1％；1-甲氧基-2-丙醇＞98％。

4.如权利要求2所述的干法贴膜工艺，其特征在于旋转涂覆时，晶圆片以1500rpm的速度自转，涂布粘合剂150秒。

5.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(2)中将涂覆完的晶圆片送入加热炉以70～120摄氏度温度加热烘干2～5分钟。

6.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(3)将晶圆片送入贴膜机的晶圆台先加热至55～65摄氏度，然后将压膜的滚轮加热到65～75摄氏度，将所需厚度的干膜碾压成型至晶圆表面。

7.如权利要求1所述的干法贴膜工艺，其特征在于步骤(4)将贴好膜的晶圆放到固化炉内以90～110摄氏度温度加热坚膜5～15分钟，使粘合层与干膜及晶圆片紧密填充。