[发明专利]确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法

权利要求书

1、一种确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，所述电感具有一自谐振荡频率f_r，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

确定平面螺旋电感的低频电感值L₀；

获取品质因数最大值所对应的电感工作频率f_q max；

根据电感的衬底类型确定与制备电感衬底相关的系数β；

将低频电感值L₀乘以一个系数的β次方以得到射频频段的电感值，该系数是f_q max与f_r的比值与1的和，

其中，与制备电感衬底相关的系数β是通过对同一种衬底类型、不同结构的平面螺旋电感进行模拟及测试，获取多组上述参数值，并根据这些参数值的上述关系进行拟合而获得。

2、如权利要求1所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于：系数β是一个小于1的正数。

3、如权利要求1所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于：所述的低频电感值L₀采用Greenhouse算法、S.Jenei算法或者分圈迭代算法确定。

4、如权利要求1所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于，所述的与制备电感衬底相关的系数β根据不同的衬底类型确定如下：

低阻硅对应的β值为0.10±0.03；

高阻硅对应的β值为0.20±0.02；

SOI衬底对应的β值为0.25±0.05；

砷化镓对应的β值为0.35±0.05；

石英衬底对应的β值为0.40±0.03。

5、如权利要求4所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于：所述的低阻硅是指电阻率为5～20Ω·cm的硅衬底材料。

6、如权利要求4所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于：所述的高阻硅是指电阻率大于等于1000Ω·cm的硅衬底材料。

7、如权利要求4所述的确定平面螺旋电感射频频段电感值的方法，其特征在于：所述的SOI衬底是指埋层氧化硅厚度为0.1μm，顶层硅厚度为0.3μm，硅电阻率为1000Ω·cm的硅衬底材料。