[发明专利]判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置

权利要求书

1.一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数 据；

(b1)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子 晶粒，若在晶粒形貌设计数据中无法找到具有相同设计结构的子晶粒，则 中止测试，若能够找到具有相同设计结构的子晶粒，则执行步骤(b2)；

(b2)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有相同设计结构的 子晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则；

(c)根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若 干个子晶粒；

(d)将晶圆中分布在不同晶粒中的所有的具有相同设计结构的子晶粒以所 在晶粒的位置次序以及子晶粒在晶粒中的位置次序作为排序依据，组成至 少一个检测序列；

(e1)选定一个检测序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的 检测数据与检测序列中与其相邻的两个另外的子晶粒相比较，判断所述选 定的子晶粒的表面形貌是否与所述两个另外的子晶粒的表面形貌相同，至 少与其中一个另外子晶粒相同则认定该被选定的子晶粒表面不存在重复缺 陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒不相同，则执行步骤(e2)；

(e2)考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有相同设计结构的其它子 晶粒的数目，若属于相同设计结构的其它子晶粒的数目为1，则执行步骤 (e3)，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷；

(e3)进一步采用同标准图形进行比较的方法，以确定被选定的子晶粒所 在的区域是否存在重复缺陷；

上述步骤执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，重复步骤(e1)～(e3) 的测试，直至对步骤(c)中划分的所有子晶粒都测试完毕为止。

2.根据权利要求1所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述 步骤(e3)包括将该具有相同设计结构的子晶粒的表面形貌与对应的版图 设计图形相比较，以确定是否存在重复缺陷。

3.根据权利要求1所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述 半导体晶圆为多目标任务晶圆。