[发明专利]多畴垂直取向型液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810202795.9 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101441379A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 陆海峰;陈钢 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 取向 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种多畴垂直取向型液晶显示装置,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
一液晶层,填充在第一基板和第二基板之间;
所述第一基板上形成有像素电极;
所述第二基板上形成有公共透明电极;
其特征在于,所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝,其间设置有绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的多畴垂直取向型液晶显示装置,其特征在于,所述像素电极上形成有突起或者狭缝。
3.一种多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,包括如下步骤:
提供一透明基板;
在所述透明基板上依次形成有栅极、栅极绝缘层、半导体层、漏/源极、钝化层、第一像素电极;
其特征在于,在形成第一像素电极后,在所述第一像素电极上继续涂布一层绝缘膜和另一透明电极层,所述另一透明电极层形成在所述绝缘膜上,并在另一透明电极层上刻出第二像素电极。
4.根据权利要求3所述的多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一像素电极包括电容耦合区和非耦合区,在所述第一像素电极上继续涂布一层绝缘膜后,先将第一像素电极上方处于非耦合区的绝缘膜刻蚀,露出第一像素电极,然后再继续涂布另一透明电极层。
5.根据权利要求3所述的多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,其特征在于,刻出第二像素电极后,再通过湿刻工艺将第二像素电极未覆盖到的绝缘膜进行刻蚀,露出第一像素电极。
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