[发明专利]多畴垂直取向型液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810202795.9 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101441379A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 陆海峰;陈钢 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 垂直 取向 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多畴垂直取向型液晶显示装置,包括:

相对设置的第一基板和第二基板;

一液晶层,填充在第一基板和第二基板之间;

所述第一基板上形成有像素电极;

所述第二基板上形成有公共透明电极;

其特征在于,所述像素电极包括部分叠置的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极电性隔绝,其间设置有绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的多畴垂直取向型液晶显示装置,其特征在于,所述像素电极上形成有突起或者狭缝。

3.一种多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,包括如下步骤:

提供一透明基板;

在所述透明基板上依次形成有栅极、栅极绝缘层、半导体层、漏/源极、钝化层、第一像素电极;

其特征在于,在形成第一像素电极后,在所述第一像素电极上继续涂布一层绝缘膜和另一透明电极层,所述另一透明电极层形成在所述绝缘膜上,并在另一透明电极层上刻出第二像素电极。

4.根据权利要求3所述的多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一像素电极包括电容耦合区和非耦合区,在所述第一像素电极上继续涂布一层绝缘膜后,先将第一像素电极上方处于非耦合区的绝缘膜刻蚀,露出第一像素电极,然后再继续涂布另一透明电极层。

5.根据权利要求3所述的多畴垂直取向型液晶显示装置的制造方法,其特征在于,刻出第二像素电极后,再通过湿刻工艺将第二像素电极未覆盖到的绝缘膜进行刻蚀,露出第一像素电极。

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