[发明专利]铝布线制作方法有效
| 申请号： | 200810202827.5 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740469A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线 制作方法 | ||
1.一种铝布线制作方法，其特征在于，包括：
对铝布线执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺为不施加偏置电压的反 应离子蚀刻工艺；
在所述第一蚀刻工艺后，对所述铝布线执行第二蚀刻工艺，形成铝布线 图形，所述第二蚀刻工艺为施加偏置电压的反应离子蚀刻工艺。
2.如权利要求1所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻工艺采 用Cl2和BCl3的混合气体作为蚀刻气体。
3.如权利要求2所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述Cl2和BCl3的气体 流量比为1.0-1.5，总流量为100-150sccm。
4.如权利要求3所述的铝布线制作方法，其特征在于，BCl3的流量为60sccm， Cl2的流量为60sccm。
5.如权利要求1所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻工艺还 包括通入氦气，氦气的气体流量为8sccm。
6.如权利要求1所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述第一蚀刻工艺的 射频功率源功率为800W。
7.如权利要求1所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述第二蚀刻工艺的 射频功率源功率为800W，提供偏置电压的偏置电极的功率为400W。
8.如权利要求1所述的铝布线制作方法，其特征在于，所述第二蚀刻工艺采 用BCl3、Cl2以及CH4的混合气体，BCl3的流量为100sccm，Cl2的流量为 300sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
