[发明专利]具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 200810202842.X | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740472A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡明;赵简 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 布线 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成铜 布线之后，在铜布线表面形成工艺层，所述工艺层的压应力抑制所述铜布线 在垂直铜布线表面方向上的弹性变化。
2.如权利要求1所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述压应力大于或等于1.5Gpa。
3.如权利要求1所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述在铜布线表面形成工艺层，包括：以预设的反应气体流量比来形成所述 工艺层。
4.如权利要求3所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述预设的气体流量比可以通过下述方法获得：
选择与实际生产晶圆具有相同的铜布线结构的试片；
将所述试片置于反应机台内，并在反应温度下通入反应气体，以进行在 铜布线表面形成所述工艺层的反应；
监控铜布线的表面鼓包程度，若铜布线表面鼓包程度在工艺规格内，则 记录此时通入反应气体的流量比，以及相应的压应力；
若铜布线表面鼓包程度不在工艺规格内，则调节通入硅烷和氨气的流量 比，直到铜布线表面鼓包程度在工艺规格内。
5.如权利要求1所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述工艺层为氮化硅层。
6.如权利要求5所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述形成氮化硅层的方法为化学气相淀积。
7.如权利要求5所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述形成氮化硅的反应气体包括硅烷和氨气。
8.如权利要求7所述的具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述硅烷和氨气的流量比为5至11。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括铜布线以及铜布线表面的工艺层，其 中所述工艺层的压应力抑制所述铜布线向所述工艺层的弹性变化。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述压应力大于或等于 1.5Gpa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
