[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200810202960.0 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740513A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离结构，所述隔离结构将半导体衬底分为待形成MOS晶体管的不同有源区，所述有源区包括MOS晶体管的沟道区域；
在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；
在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；
其特征在于，还包括：
在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，所述引入碳离子步骤在引入第一离子步骤之后进行。
3.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，所述引入碳离子通过离子注入进行。
4.根据权利要求3所述的MOS晶体管的制作方法，所述引入碳离子的注入深度范围为5nm至50nm。
5.根据权利要求3所述的MOS晶体管的制作方法，所述引入碳离子的注入能量范围为低于20KeV，所述引入碳离子的注入剂量范围为1E12至5E14cm-2，角度范围为0至9°。
6.根据权利要求3所述的MOS晶体管的制作方法，所述引入碳离子的注入能量范围为低于20KeV，所述引入碳离子的注入剂量范围为1E14至5E14cm-2，角度范围为0至9°。
7.根据权利要求5或6所述的MOS晶体管的制作方法，在注入碳离子之后还包括退火步骤。
8.根据权利要求7所述的MOS晶体管的制作方法，所述退火采用快速热退火，退火温度范围为800至1000℃，退火时间为5至20min，气氛为惰性气体或者N2。
9.一种MOS晶体管，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离结构，所述隔离结构将半导体衬底分为待形成MOS晶体管的不同有源区，所述有源区包括MOS晶体管的沟道区域；
隔离阱，位于半导体衬底的有源区内，所述隔离阱内引入有第一离子；
第二离子区，位于半导体衬底的有源区内，用于调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；
其特征在于，还包括：
碳离子区，位于MOS晶体管的沟道区域内。
10.根据权利要求9所述的MOS晶体管，所述碳离子区在引入第一离子形成隔离阱之后形成。
11.根据权利要求9或10所述的MOS晶体管，所述碳离子区通过离子注入形成。
12.根据权利要求11所述的MOS晶体管，所述碳离子区的注入碳离子的深度范围为5nm至50nm。
13.根据权利要求12所述的MOS晶体管，所述碳离子区还包括在注入碳离子之后还包括退火步骤。
14.根据权利要求13所述的MOS晶体管，所述退火温度范围为800至1000℃，退火时间为5至20min，气氛为惰性气体或者N2。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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