[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，并在该基板上依次沉积一非晶硅薄膜、一欧姆接触层；

利用一第一光罩在所述欧姆接触层之上形成一源极欧姆接触层和一漏极欧姆接触层，在所述非晶硅薄膜上形成非晶硅图案；

采用一准分子激光退火工序，使所述非晶硅图案再结晶成为一多晶硅层图案，所述多晶硅层图案为薄膜晶体管的通道区域；

在基板上继续沉积一栅极绝缘层和一第一金属层；

利用一第二光罩在所述第一金属层上形成一栅极，所述栅极位于所述通道区域的上方；

在基板上沉积一介电层，在介电层和栅极绝缘层上形成直达源极欧姆接触层和漏极欧姆接触层的接触孔；

在基板上沉积一第二金属层，在第二金属层上形成一源极和一漏极，所述源极通过接触孔和源极欧姆接触层电连接，所述漏极通过接触孔和漏极欧姆接触层电连接。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述基板上先沉积一缓冲层，然后依次沉积一非晶硅薄膜和一欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一光罩为一多灰阶光罩。

4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成接触孔的方法包括黄光暨刻蚀工序。