[发明专利]消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 200810203540.4 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740379A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;杜珊珊;黄怡;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 半导体器件 表面 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除半导体器件表面缺陷的方法，所述表面缺陷是形成多晶硅层时 由于杂质污染而导致的，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极氧化物层和掺杂的多 晶硅层，所述多晶硅层的表面附着有杂质，所述杂质为能被氧化或不能氧化 的高分子残留物或金属离子，所述多晶硅层的厚度大于制作半导体器件的所 要求规格；
利用原位蒸汽生成工艺氧化所述多晶硅层的表面以在所述多晶硅层上形 成厚度为50埃到100埃的氧化物牺牲层，所述氧化物牺牲层将所述杂质溶于 其间，其中，所述原位蒸汽生成工艺的温度为800摄氏度～1200摄氏度；
去除所述溶有杂质的氧化物牺牲层。
2.根据权利要求1所述消除半导体器件表面缺陷的方法，其特征在于，所 述氧化物牺牲层通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺予以去除。
3.根据权利要求2所述消除半导体器件表面缺陷的方法，其特征在于，所 述湿法蚀刻工艺包括稀释水溶性氢氟酸溶液清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
