[发明专利]纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法

权利要求书

1.纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，包括：

将纳米蒙脱土置于等离子体处理设备的专用传输装置上，在大气压，开放环境下，直接将等离子体喷射到纳米蒙脱土表面，使纳米蒙脱土在等离子体氛围中运动，处理功率为10W-5000W，时间为0.01s-6000s，产生纳米蒙脱土表面改性。

2.根据权利要求1所述的纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，其特征在于：所述的等离子体选自氦气、氩气或功能性气体中的一种或几种，其中氦气、氩气摩尔比为50％-99.99％，功能性气体为0.001～30％，同时流经等离子体形成区形成等离子体氛围。

3.根据权利要求2所述的纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，其特征在于：所述的氦气或氩气的纯度为99.99％。

4.根据权利要求2所述的纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，其特征在于：所述的功能性气体为SO₂、氨气、氧气、氢气、氮气、四氟化碳、二氧化碳、甲烷CH₄、乙烷C₂H₆、丙烷C₃H₈、丁烷C₄H₁₀、戊烷C₅H₁₂、己烷C₆H₁₄、庚烷C₇H₁₆、辛烷C₈H₁₈、壬烷C₉H₂₀、癸烷C₁₀H₂₂、十一烷C₁₁H₂₄、十二烷C₁₂H₂₆、十三烷C₁₃H₂₈、乙烯C₂H₄、丙烯C₃H₆、丁烯C₄H₈、戊烯C₅H₁₀、己烯C₆H₁₂、丙二烯C₃H₄、丁二烯C₄H₆、异戊二烯C₅H₈、己三烯C₆H₈、乙炔C₂H₂、丙炔C₃H₄、丁炔C₄H₆、戊炔C₅H₈、己炔C₆H₁₀、庚炔C₇H₁₂、辛炔C₈H₁₄、壬炔C₉H₁₆、癸炔C₁₀H₁₈、十一炔C₁₁H₂₀、四氟乙烯和硅烷、各种硅氧烷气体、丙烯酸，甲基丙烯酸的蒸汽或它们组合气体。

5.根据权利要求1—4中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述的在喷射等离子体氛围前提下将纳米蒙脱土表面按不同要求的需求进行表面改性。

6.根据权利要求1—4中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述的改性纳米蒙脱土应用于高分子材料改性、高分子复合材料改性以及纤维。