[发明专利]袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200810204179.7 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101752231A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 离子 方法 mos 晶体管 制造 | ||
1.一种形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于，包括步骤：
将栅极结构两侧通过离子注入形成有源/漏延伸区的晶圆以通过所述晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴旋转第一角度；
进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入；
将所述晶圆以所述直线为轴旋转第二角度，旋转第二角度的方向与旋转第一角度的方向相同；
保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入和旋转第二角度的步骤，直至晶圆回到旋转第一角度后的状态。
2.如权利要求1所述的形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于：所述晶圆的晶向指数为<100>，所述第一角度为30至40度或50至60度。
3.如权利要求1所述的形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于：所述第二角度为90度、45度或22.5度。
4.如权利要求1所述的形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于：所述离子注入的方向与晶圆成60度至90度。
5.如权利要求1所述的形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于：旋转第二角度的总和为360度。
6.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在半导体衬底上形成栅极结构；
在栅极结构两侧的半导体衬底中进行源/漏延伸区注入；
将所述晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴旋转第一角度；
进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入；
将所述晶圆以所述直线为轴旋转第二角度，旋转第二角度的方向与旋转第一角度的方向相同；
保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的源/漏区离子注入和旋转第二角度的步骤，直至晶圆回到旋转第一角度后的状态；
在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极。
7.如权利要求6所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述晶圆的晶向指数为<100>，所述第一角度为30至40度或50至60度。
8.如权利要求6所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第二角度为90度、45度或22.5度。
9.如权利要求6所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述离子注入的方向与晶圆成60度至90度。
10.如权利要求6所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：旋转第二角度的总和为360度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
