[发明专利]一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：包括一个将制作氧化物半导体有源层所需要的氧化物粉末按照所需要的比例混合均匀的步骤，然后将混合均匀后的粉末加热，加热温度在800℃～1500℃之间；还包括一个将混合均匀后的氧化物粉末用等离子喷涂法喷涂到金属背板上制成喷涂靶材的步骤；还包括一个用喷涂靶材在真空室中磁控溅射、沉积制作氧化物半导体层薄膜的步骤。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：氧化物粉末为氧化锌。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：氧化物粉末选自氧化锌、或者氧化镓、或者氧化锡、或者氧化铟中的一种或几种的组合。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：用氩等离子喷涂混合好的粉末到金属背板上，所述的金属背板为铜、或者不锈钢。

5.根据权利要求1或5所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：粉末喷涂到金属背板上形成的喷涂层厚度在0.1～10毫米之间。

6.根据权利要求6所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：粉末喷涂到金属背板上形成的喷涂层厚度在0.5～3毫米之间。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：所述的氧化物半导体薄膜的厚度在15纳米～250纳米之间。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：用磁控溅射方法成膜。

9.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：溅射气氛为氩气、氧气、或者氩气和氧气的混合气体。