[发明专利]基于基准面全局电场的虚拟外翻方法无效

专利信息
申请号: 200810204390.9 申请日: 2008-12-11
公开(公告)号: CN101447086A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 赵俊;黄翊玲 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G06T11/00 分类号: G06T11/00;A61B5/055;A61B6/00;G01N23/18;G01N24/08
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 基准面 全局 电场 虚拟 外翻 方法
【权利要求书】:

1、一种基于基准面全局电场的虚拟外翻方法,其特征在于包括如下步骤:

第一步,进行数据分割,得到需要外翻的空腔二值图像;

第二步,生成空腔图像的外翻基准面;

第三步,根据空腔图像外翻基准面得到全局电场力分布,并采用快速傅立叶变换整体求解空间各点所受电场合力;

第四步,根据已得到的各点电场力方向,从空腔表面出发,沿所在电场线顺电场力向基准面步进,记录从空腔表面至基准面的步进数;

第五步,从基准面出发,至基准面后逆电场力步进相同步数,得到关于基准面镜像对称的对应外翻点;

第六步,令所有外翻后的点都沿电场线向内进行收缩,所有经调整后的外翻点即组成外翻空腔表面。

2、根据权利要求1所述的基于基准面全局电场的虚拟外翻方法,其特征是,所述的生成空腔图像的外翻基准面,是指生成包裹于空腔外的光滑曲面。

3、根据权利要求1所述的基于基准面全局电场的虚拟外翻方法,其特征是,所述的生成空腔图像的外翻基准面,具体包括两步:

首先,对空腔的二值化体数据进行三维形态学膨胀运算,消除表面的起伏变化;

其次,对点与点之间的坐标进行微细调整,保持拓扑结构不变的同时,减小表面曲率,得到更光滑的基准面,

所述微细调整是通过下式的不断迭代实现的:

xi+1=xi+λVij=xi+λΣ(xi-xj)j:0j<n]]>

式中,为待调整的点,为与其相邻的其他点,λ为用户指定的参数,为调整后的点。

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