[发明专利]一种薄型硅单晶抛光片加工方法

权利要求书

1.一种薄型硅单晶抛光片加工方法，其包括以下步骤：

步骤一，对硅单晶采用线切割切片；

步骤二，采用开槽磨盘研磨的双面研磨机，其上使用内衬橡胶的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；

步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺，酸腐蚀去除量在10～60微米；

步骤四，采用纳米研磨工艺，纳米研磨去除量在1～25微米；

步骤五，采用有蜡抛光工艺，有蜡抛光去除量在5～30微米；所述步骤三中的酸腐蚀减薄工艺包括混酸溶液的配制，所述混酸溶液为硝酸、氢氟酸和缓冲性酸体积配比为2∶1∶1。

2.如权利要求1所述的薄型硅单晶抛光片加工方法，其特征在于：所述缓冲性酸指磷酸或冰醋酸。

3.如权利要求1所述的薄型硅单晶抛光片加工方法，其特征在于：所述步骤三中的酸腐蚀减薄工艺中，腐蚀温度40℃，腐蚀时间30秒，酸腐蚀去除量33微米；弱碱清洗剂浓度4％，清洗温度60℃，超声时间5分钟，漂洗时间5分钟。