[发明专利]高导电率高硅铝基合金及其制备方法

权利要求书

1.一种制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、用纯Al、Si、M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM，其中，M为稀土，5≤a≤60， 0.1≤b≤10；

b、将得到的预制合金Al-aSi-bM放入真空感应熔炼炉中熔炼，熔炼完毕，再用氮-氩混 合气体保护将熔融态Al-aSi-bM母合金喷射成型；

c、将喷射成型态Al-aSi-bM合金放入热挤压机中挤压成型；

d、对热挤压后得到的Al-aSi-bM合金进行多道次冷轧。

2.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，步骤a中，M选 取的稀土元素为混合稀土，主要合金元素Ce占混合稀土质量的40%以上。

3.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，步骤b中，感应熔 炼采用中频感应加热，加热功率为5～20kW，温度为1000-1200℃。

4.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，步骤b中，喷射成 型设备采用双层非限制式气流雾化喷嘴。

5.如权利要求4所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，所述喷射成型设备 的喷嘴直径为3-4mm、熔体质量流率为6～8kg/min。

6.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，步骤b中，保护气 体压强为0.6-0.8MPa，真空感应熔炼炉内的真空度为10^-3~10^-4Pa。

7.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，所述的步骤c中， Al-aSi-bM合金粉末挤压温度为300~310℃，挤压载荷为200~400MP，挤压时间为3~4h， 挤压次数为1~5次。

8.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，所述的步骤c为， 先逐步加压到200~400MP稳定的压力，然后升温至粉末熔点温度的50%-60%处热压， 保温3~4个小时后降温冷轧。

9.如权利要求1所述制备高导电率高硅铝基合金的方法，其特征在于，所述的步骤d中， 室温下先逐步压至70~150KN稳定的压力，维持1~2个小时，然后撤掉压力。

10.一种高导电率高硅铝基合金，由权利要求1-9中任一权利要求所述制备高导电率高 硅铝基合金的方法制得。