[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在单晶衬底上沉积多晶硅层；

从多晶硅层一侧向单晶衬底上进行离子注入，在所述单晶衬底内形成空 洞；

通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多 晶硅层；

在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；

对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；

剥离所述单晶衬底；

通过等离子刻蚀去除多晶硅层上残留的单晶衬底材料，使多晶硅层表面 粗糙化；

在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极 结构。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述从多 晶硅层一侧向单晶衬底上进行离子注入的离子为氢离子和/或氦离子。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述热退 火在氢气的氛围中进行。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述热退 火的温度为300℃至900℃，热退火时间为10秒至60分钟。

5.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述热退 火的温度为300℃至400℃，热退火时间为30秒至2分钟。

6.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述单晶 衬底为单晶硅衬底。

7.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述P型 多晶硅层与单晶衬底接触。

8.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：在单晶衬 底上沉积多晶硅层的方法为物理气相沉积法。

9.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述多晶 硅层的厚度为1μm至10μm。

10.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述空 洞距离单晶衬底与多晶硅层界面为1nm至100nm。

11.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述从 多晶硅层一侧向单晶衬底上进行离子注入的离子为氢离子，注入氢离子的能 量为800KeV至8MeV，剂量为1E15/cm²至1E17/cm²。

12.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：形成P 型多晶硅层所注入的离子为硼离子或二氟化硼离子。

13.如权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：注入 硼离子或二氟化硼离子的能量为100KeV至1MeV，剂量为1E15/cm²至 1E16/cm²。

14.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：形成n 型多晶硅层所注入的离子为砷离子或磷离子。

15.如权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：注入 砷离子或磷离子的能量为400KeV至2MeV，剂量为1E15/cm²至1E16/cm²。

16.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第 一电极为铝电极。

17.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第 一电极的厚度为20μm至50μm。

18.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成第 二电极结构具体包括步骤：

在所述多晶硅层远离所述第一电极的一侧上沉积钝化层；

图形化所述钝化层，形成沟槽；

在钝化层表面以及所述沟槽内形成电镀种子层；

形成暴露所述沟槽的光刻胶层；

在所述沟槽内电镀第二电极材料至至少填满所述沟槽；

去除光刻胶层和所述钝化层表面的电镀种子层。

19.如权利要求18所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述 第二电极材料为银。