[发明专利]检测刻蚀液过滤器的方法有效
申请号: | 200810204980.1 | 申请日: | 2008-12-30 |
公开(公告)号: | CN101769848A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 魏广升;赵建方;王瑞明;黄海英 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01N15/08 | 分类号: | G01N15/08;G01N33/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 刻蚀 过滤器 方法 | ||
1.一种检测刻蚀液过滤器的方法,包括以下步骤:
S1:在覆盖一层均匀氧化物薄膜的晶片上选定多个点;
S2:测量所述晶片在所述多个点处的初始厚度;
S3:对所述晶片进行湿法刻蚀;
S4:测量所述晶片在所述多个点处的残留厚度;
S5:计算各个点处的初始厚度与残留厚度的差值以及这些差值的标准方差,将所述标准方差与一标准值做比较,若大于标准值,检测结果不合格,说明过滤器老化严重要更换所述过滤器,若小于标准值,检测结果合格;
其特征在于:所述湿法刻蚀为过刻蚀处理。
2.根据权利要求1所述一种检测刻蚀液过滤器的方法,其特征在于所述氧化物薄膜的厚度小于100纳米。
3.根据权利要求1所述一种检测刻蚀液过滤器的方法,其特征在于所述点的数量至少为40个。
4.根据权利要求1所述一种检测刻蚀液过滤器的方法,其特征在于所述点均匀分布于所述晶片上。
5.根据权利要求1所述一种检测刻蚀液过滤器的方法,其特征在于所述过刻蚀处理中所用的化学溶液为BOE或HF。
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