[发明专利]CMOS图像传感器及其成像方法无效
| 申请号： | 200810205380.7 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771800A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;欧阳雄;杨建平;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 成像 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括用于产生光电流的光敏二极管，其特征在于，
所述光敏二极管中PN结的结深对应于三原色光中任意一种在所述PN结中的吸收深度；
在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光敏二极管PN结由P型衬底和所述P型衬底中的N型掺杂区的接触面构成。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光敏二极管PN结由N型衬底中的P型外延层和所述P型外延层中的N型重掺杂区的接触面构成。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光敏二极管PN结由P型衬底中的厚N型外延层中的P型外延层和所述P型外延层中的N型重掺杂区的接触面构成。
5.一种CMOS图像传感器的成像方法，包括对像素单元中的光敏二极管曝光，其特征在于，在对像素单元中的光敏二极管曝光时，对所述光敏二极管施加反偏电压，来调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的成像方法，其特征在于，所述调节光敏二极管中PN结的耗尽区宽度包括：调节所述耗尽区的宽度，使得所述光敏二极管吸收入射光中不同比例的原色光。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的成像方法，其特征在于，所述反偏电压根据下述方法获得：
对光敏二极管只提供第一原色光作为入射光，测量所述光敏二极管在第一反偏电压下所产生的第一光电流；
保持第一反偏电压不变，将入射光换为第二原色光，测量所述光敏二极管所产生的第二光电流；
保持第一反偏电压不变，将入射光换为第三原色光，测量所述光敏二极管所产生的第三光电流；
根据所测量的各个光电流，获得在第一反偏电压下，所述光敏二极管吸收各原色光的比例；
以所述第一反偏电压作为光敏二极管以上述比例吸收入射光中原色光所应施加的反偏电压。
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